虽然金属表面处理设计师铜类似的方法可以被采用以解决这个问题，但铜和铝的芯片，所述衬底的严重的热失配，所述封装的热设计了很大的困难影响它们的广泛使用。 1.2钨，钼（Mo）具有5.35×10-6K-1的CTE，和铁镍钴合金和Al2O3匹配时，它的热导率非常高，为138 W（MK-1），正如经常气密封装基座和侧壁焊接在一起可伐，在许多包所使用的金属，所述高功率密度 的Cu / W和Cu /沫以减少铜CTE可以更小和铜的材料例如Mo，W等的CTE值的复合物，以得到铜/ W和Cu /钼金属 - 金属复合材料。铸造的金属表面处理工艺：铸造工艺和整个塑料制品是非常相似的生产过程中，使用精密模具，但塑料材料成熔融金属进行处理。这些材料具有高的导电性，导热性，同时整合钨，钼的低CTE，高硬度特性。的Cu / W和Cu /沫CTE可以根据组分的相对含量的变化进行调整，可以用作封装基座，散热器也可以用作散热片。 形式的金属包装，加工柔性的，和特定组件（例如，混合集成A / d或d / A转换器）为一体的，对于低I / O芯片和多用途单芯片的数量，但也它适用于RF，微波，光，声表面波器件和高功率，小批量满足高可靠性要求。

金属表面处理但密度大也使Cu／W具有对空间辐射总剂量(TID)环境的优良屏蔽作用，因为要获得同样的屏蔽作用，使用的铝厚度需要是Cu／W的16倍。新型的金属封装材料及其应用除了Cu／W及Cu／Mo以外，传统金属封装材料都是单一金属或合金，它们都有某些不足，难以应对现代封装的发展。传统金属封装材料包括Al、Cu、Mo、W、钢、可伐合金以及Cu／W和Cu／Mo等国内外已广泛生产并用在大功率微波管、大功率激光二极管和一些大功率集成电路模块上。金属表面处理CNC与压铸结合就是先压铸再利用CNC精加工。工艺优缺点：CNC工艺的成本比较高，材料浪费也比较多，当然这种工艺下的中框或外壳质量也好一些。金属封装外壳CNC加工开始前，首先需要建模与编程。3D建模的难度由产品结构决定，结构复杂的产品建模较难，需要编程的工序也更多、更复杂。

金属表面处理及其局限性芯片材料如Si、GaAs以及陶瓷基板材料如A12O3、BeO、AIN等的热膨胀系数(CTE)介于3×10-6-7×10-6K-1之间。金属封装材料为实现对芯片支撑、电连接、热耗散、机械和环境的保护，应具备以下的要求：①与芯片或陶瓷基板匹配的低热膨胀系数,减少或避免热应力的产生；国内外都有Al2O3弥散强化无氧高导铜产品，如美国SCM金属制品公司的Glidcop含有99．7％的铜和0．3％弥散分布的Al2O3。加入Al2O3后，热导率稍有减少，为365W(m-1K-1)，电阻率略有增加，为1．85μΩ·cm，但屈服强度得到明显增加。可伐可伐合金(Fe-29Ni-17Co，中国牌号4J29)的CTE与Si、GaAs以及Al2O3、BeO、AIN的CTE较为接近，具有良好的焊接性、加工性，能与硼硅硬玻璃匹配封接，在低功率密度的金属封装中得到广泛的使用。此外，为解决封装的散热问题，各类封装也大多使用金属作为热沉和散热片。但由于其热导率低，电阻率高，密度也较大，使其广泛应用受到了很大限制。

在金属表面处理解决中获得普遍应用，如美国Sinclair企业在电力电子器件的金属封装中应用Glidcop替代无氧运动高导铜做为基座。美国Sencitron企业在TO-254气密性金属封装中应用陶瓷绝缘子与Glidcop导线封接。很好的传热性，出示热耗散；③很好的导电率，降低传送延迟时间；④优良的EMI／RFI屏蔽掉工作能力；新材料和除了Cu/W和Cu/钼等金属的包装应用中，传统的包装材料是单一金属或金属合金，它们具有一些不足之处，它是难以应付现代包装的发展。 ⑤较低的相对密度，充足的抗压强度和强度，优良的生产加工或成型特性；⑥可镀覆性、可焊性和耐腐蚀性，以完成与集成ic、后盖板、pcb板的靠谱融合、密封性和自然环境的维护；⑦较低的成本费。传统式金属封装材料包含Al、Cu、Mo、W、钢、可伐铝合金及其Cu／W和Cu／Mo等 传统式金属封装材料以及局限集成ic材料如Si、GaAs及其陶瓷基板材料如A12O3、BeO、AIN等的热膨胀系数(CTE)接近3×10-6-7×10-6K-1中间。金属封装材料为完成对集成ic支撑点、电联接、热耗散、机械设备和自然环境的维护，应具有下列的规定：①与集成ic或陶瓷基板配对的低热膨胀系数,降低或防止焊接应力的造成；