Cu基复合材料纯铜具有较低的退火点，它制成的底座出现软化可以导致芯片和／或基板开裂。为了提高铜的退火点，可以在铜中加入少量Al2O3、锆、银、硅。这些物质可以使无氧高导铜的退火点从320℃升高到400℃，而热导率和电导率损失不大。金属基复合材料金属封装是采用金属作为壳体或底座，芯片直接或通过基板安装在外壳或底座上，引线穿过金属壳体或底座大多采用玻璃—金属封接技术的一种电子封装形式。它广泛用于混合电路的封装，主要是和定制的专用气密封装，在许多领域，尤其是在军事及航空航天领域得到了广泛的应用。这种材料具备高的导电性、传热性能，另外结合W、Mo的低CTE、高韧性特点。金属封装外壳编程囊括了加工的工序设定、刀具选择，转速设定，刀具每次进给的距离等等。此外，不同产品的装夹方式不同，在加工前要设计好夹具，部分结构复杂产品需要做专门的夹具

金属封装机壳除此之外相对密度很大，不宜航空公司、航空航天主要用途。1．3 钢10号钢热导率为49．8 W(m-1K-1)，大概是可伐铝合金的三倍，它的CTE为12．6×10-6K-1，与瓷器和半导体材料的CTE失配，可与软玻璃完成缩小封接。不锈钢关键应用在必须抗腐蚀的气密性封裝里，不锈钢的热导率较低，如430不锈钢(Fe-18Cr，中国型号4J18)热导率仅为26．1 W(m-1K-1)。铝挤、DDG、粗铣内然后将铝板铣成手机上外壳必须的规格，便捷CNC精密加工，然后是粗铣内腔，将内腔及其工装夹具精准***的柱生产加工好，具有精密加工的固定不动***。Cu基高分子材料全铜具备较低的退火点，它做成的基座出現变软能够 造成集成ic和／或基钢板裂开。以便提升铜的退火点，能够 在铜中添加小量Al2O3、锆、银、硅。Cu／W及Cu／Mo的CTE可以根据组元相对含量的变化进行调整，可以用作封装底座、热沉，还可以用作散热片。这种化学物质能够 使无氧运动高导铜的退火点从320℃上升到400℃，而热导率和导电率损害并不大。

金属封装外壳编程囊括了加工的工序设定、刀具选择，转速设定，刀具每次进给的距离等等。此外，不同产品的装夹方式不同，在加工前要设计好夹具，部分结构复杂产品需要做专门的夹具。金属封装形式多样、加工灵活，可以和某些部件(如混合集成的A／D或D／A转换器)融合为一体，适合于低I／O数的单芯片和多芯片的用途，也适合于射频、微波、光电、声表面波和大功率器件，可以满足小批量、高可靠性的要求。金属封装外壳此外密度较大，不适合航空、航天用途。1．3 钢10号钢热导率为49．8 W(m-1K-1)，大约是可伐合金的三倍，它的CTE为12．6×10-6K-1，与陶瓷和半导体的CTE失配，可与软玻璃实现压缩封接。这些物质可以使无氧高导铜的退火点从320℃升高到400℃，而热导率和电导率损失不大。不锈钢主要使用在需要耐腐蚀的气密封装里，不锈钢的热导率较低，如430不锈钢(Fe-18Cr，中国牌号4J18)热导率仅为26．1 W(m-1K-1)。