传统金属表面处理及其局限性芯片材料如Si、GaAs以及陶瓷基板材料如A12O3、BeO、AIN等的热膨胀系数(CTE)介于3×10-6-7×10-6K-1之间。金属封装材料为实现对芯片支撑、电连接、热耗散、机械和环境的保护，应具备以下的要求：①与芯片或陶瓷基板匹配的低热膨胀系数,减少或避免热应力的产生；不少低密度、的金属基复合材料非常适合航空、航天用途。新型的金属封装材料及其应用除了Cu／W及Cu／Mo以外，传统金属封装材料都是单一金属或合金，它们都有某些不足，难以应对现代封装的发展。金属基复合材料的基体材料有很多种，但作为热匹配复合材料用于封装的主要是Cu基和灿基复合材料。金属封装外壳压铸成型工艺：全压铸的工艺和塑料制品的生产流程十分相似，都是利用精密模具进行加工，只是材质由塑料改成了融化的金属；CNC与压铸结合工艺；

世界各国常有Al2O3弥散加强无氧运动高导铜商品，如美国SCM金属制造公司的Glidcop带有99．7％的铜和0．3％弥散遍布的Al2O3。1．3钢10号钢热导率为49．8W(m-1K-1)，大约是可伐合金的三倍，它的CTE为12．6×10-6K-1，与陶瓷和半导体的CTE失配，可与软玻璃实现压缩封接。添加Al2O3后，导热系数稍有降低，为365W(m-1K-1)，电阻略微提升，为1．85μΩ·cm，但抗拉强度获得持续上升。这类原材料已在金属封装中获得普遍应用，如美国Sinclair公司在功率器件的金属封装中应用Glidcop替代无氧运动高导铜做为基座。美国Sencitron公司在TO-254气密性金属封装中应用陶瓷绝缘子与Glidcop导线封接。金属表面处理解决多种形式、生产加工灵便，能够和一些构件(如混和集成化的A／D或D／A转化器)结合为一体，合适于低I／O数的单芯片和多集成ic的主要用途，也合适于频射、微波加热、光学、声表面波和大功率器件，能够考虑批量生产、销售电价的规定。

金属表面处理CNC与压铸结合就是先压铸再利用CNC精加工。世界各国常有Al2O3弥散加强无氧运动高导铜商品，如美国SCM金属制造公司的Glidcop带有99．7％的铜和0．3％弥散遍布的Al2O3。工艺优缺点：CNC工艺的成本比较高，材料浪费也比较多，当然这种工艺下的中框或外壳质量也好一些。金属封装外壳编程囊括了加工的工序设定、刀具选择，转速设定，刀具每次进给的距离等等。此外，不同产品的装夹方式不同，在加工前要设计好夹具，部分结构复杂产品需要做专门的夹具这些材料不仅包括金属封装的壳体或底座、引线使用的金属材料，也包括可用于各种封装的基板、热沉和散热片的金属材料，为适应电子封装发展的要求，国内开展对金属基复合材料的研究和使用将是非常重要的。