密度大也使Cu／W具有对空间辐射总剂量(TID)环境的优良屏蔽作用，因为要获得同样的屏蔽作用，使用的铝厚度需要是Cu／W的16倍。Cu／W及Cu／Mo的CTE能够依据组元相对性成分的转变开展调节，能够用作封装基座、热沉，还能够用作散热器。新型的金属封装材料及其应用除了Cu／W及Cu／Mo以外，传统金属封装材料都是单一金属或合金，它们都有某些不足，难以应对现代封装的发展。国内外已广泛生产并用在大功率微波管、大功率激光二极管和一些大功率集成电路模块上。由于Cu-Mo和Cu-W之间不相溶或浸润性极差，况且二者的熔点相差很大，给材料制备带来了一些问题；如果制备的Cu／W及Cu／Mo致密程度不高，则气密性得不到保证，影响封装性能。另一个缺点是由于W的百分含量高而导致Cu／W密度太大，增加了封装重量。Cu／W和Cu／Mo为了降低Cu的CTE，可以将铜与CTE数值较小的物质如Mo、W等复合，得到Cu／W及Cu／Mo金属-金属复合材料。这些材料具有高的导电、导热性能，同时融合W、Mo的低CTE、高硬度特性。Cu／W及Cu／Mo的CTE可以根据组元相对含量的变化进行调整，可以用作封装底座、热沉，还可以用作散热片。

金属封装机壳除此之外相对密度很大，不宜航空公司、航空航天主要用途。1．3 钢10号钢热导率为49．8 W(m-1K-1)，大概是可伐铝合金的三倍，它的CTE为12．6×10-6K-1，与瓷器和半导体材料的CTE失配，可与软玻璃完成缩小封接。不锈钢关键应用在必须抗腐蚀的气密性封裝里，不锈钢的热导率较低，如430不锈钢(Fe-18Cr，中国型号4J18)热导率仅为26．1 W(m-1K-1)。金属封装形式多样、加工灵活，可以和某些部件(如混合集成的A／D或D／A转换器)融合为一体，适合于低I／O数的单芯片和多芯片的用途，也适合于射频、微波、光电、声表面波和大功率器件，可以满足小批量、高可靠性的要求。铝挤、DDG、粗铣内然后将铝板铣成手机上外壳必须的规格，便捷CNC精密加工，然后是粗铣内腔，将内腔及其工装夹具精准***的柱生产加工好，具有精密加工的固定不动***。Cu基高分子材料全铜具备较低的退火点，它做成的基座出現变软能够 造成集成ic和／或基钢板裂开。以便提升铜的退火点，能够 在铜中添加小量Al2O3、锆、银、硅。这种化学物质能够 使无氧运动高导铜的退火点从320℃上升到400℃，而热导率和导电率损害并不大。

金属封装外壳的特点及前景

金属外壳的发展前景应用及要求

器件功率增大，封装壳体的散热特性已成为选择合适的封装技术的一个非常重要因素。

金属外壳封装的结构及特点

密封保护：通过壳体与盖板所构成的气密封装使内部电路与外界环境隔绝，保护电路免受外界恶劣气候的影响，尤其是水气对电路的腐蚀。屏蔽：电磁屏蔽金属壳体在一定程度上能够隔离电磁信号，避免电磁干扰。

一种金属封装外壳及其制备工艺的制作方法

本发明公开了一种金属封装外壳，通过将现有技术中的塑料外壳的形状进行改变，以及对材料进行更换，采用铜作为外壳的材料，同时对外壳内部的引线由圆柱状结构改进为扁平状结构，使得外壳的内部空间增加，散热性能增强，解决了现有技术中封装外壳散热性能差的问题。不但包含金属封装的罩壳或基座、导线应用的金属材料，也包含可用以各种各样封裝的基钢板、热沉和散热器的金属材料，为融入电子封装发展趋势的规定，中国进行对金属材料基复合材料的科学研究和应用将是十分关键的。本发明还提供了一种金属封装外壳的制备工艺，改进了现有工艺流程，通过该制备工艺制备的金属封装外壳具备更可靠的保护性能。