不少低密度、的金属基复合材料非常适合航空、航天用途。金属基复合材料的基体材料有很多种，但作为热匹配复合材料用于封装的主要是Cu基和灿基复合材料。Cu／W和Cu／Mo为了降低Cu的CTE，可以将铜与CTE数值较小的物质如Mo、W等复合，得到Cu／W及Cu／Mo金属-金属复合材料。尽管设计师能够选用相近铜的方法处理这个问题，但铜、铝与集成ic、基钢板比较严重的热失配，给封装的热设计产生挺大艰难，危害了他们的普遍应用。这些材料具有高的导电、导热性能，同时融合W、Mo的低CTE、高硬度特性。Cu／W及Cu／Mo的CTE可以根据组元相对含量的变化进行调整，可以用作封装底座、热沉，还可以用作散热片。非常好的导热性，提供热耗散；③非常好的导电性，减少传输延迟；④良好的EMI／RFI屏蔽能力； ⑤较低的密度，足够的强度和硬度，良好的加工或成形性能；⑥可镀覆性、可焊性和耐蚀性，以实现与芯片、盖板、印制板的可靠结合、密封和环境的保护；⑦较低的成本。传统金属封装材料包括Al、Cu、Mo、W、钢、可伐合金以及Cu／W和Cu／Mo等

材料工作者在这些材料基础上研究和开发了很多种金属基复合材料(MMC)，它们是以金属(如Mg、Al、Cu、Ti)或金属间化合物(如TiAl、NiAl)为基体，以颗粒、晶须、短纤维或连续纤维为增强体的一种复合材料。用作封装的底座或散热片时，这种复合材料把热量带到下一级时，并不十分有效，但是在散热方面是极为有效的。②材料制造灵活，价格不断降低，特别是可直接成形，避免了昂贵的加工费用和加工造成的材料损耗。这与纤维本身的各向异性有关，纤维取向以及纤维体积分数都会影响复合材料的性能。金属封装外壳CNC与压铸结合就是先压铸再利用CNC精加工。工艺优缺点：CNC工艺的成本比较高，材料浪费也比较多，当然这种工艺下的中框或外壳质量也好一些。

金属封装机壳程序编写包揽了加工的工艺流程设置、数控刀片挑选，转速比设置，数控刀片每一次走刀的间距这些。这种材料具备高的导电性、传热性能，另外结合W、Mo的低CTE、高韧性特点。除此之外，不一样商品的夹装方法不一样，在加工前应设计方案好夹具，一部分构造繁琐商品必须做***的夹具.传统式金属封装原材料以及局限芯片原材料如Si、GaAs及其陶瓷基板原材料如A12O3、BeO、AIN等的热膨胀系数(CTE)接近3×10-6-7×10-6K-1中间。金属封装原材料为完成对芯片支撑点、电联接、热失配、机械设备和自然环境的维护，应具有下列的规定：①与芯片或陶瓷基板配对的低热膨胀系数,降低或防止焊接应力的造成；金属封装多种形式、加工灵便，能够和一些构件(如混和集成化的A／D或D／A转化器)结合为一体，合适于低I／O数的单芯片和多芯片的主要用途，也合适于频射、微波加热、光学、声表面波和大电力电子器件，能够考虑批量生产、销售电价的规定。

这些材料不仅包括金属封装的壳体或底座、引线使用的金属材料，也包括可用于各种封装的基板、热沉和散热片的金属材料，为适应电子封装发展的要求，国内开展对金属基复合材料的研究和使用将是非常重要的。这种材料已在金属封装中得到广泛使用，如美国Sinclair公司在功率器件的金属封装中使用Glidcop代替无氧高导铜作为底座。添加Al2O3后，热导率稍有降低，为365W(m-1K-1)，电阻率略微提升，为1．85μΩ·cm，但抗拉强度获得持续上升。美国Sencitron公司在TO-254气密金属封装中使用陶瓷绝缘子与Glidcop引线封接。金属封装外壳CNC加工开始前，首先需要建模与编程。3D建模的难度由产品结构决定，结构复杂的产品建模较难，需要编程的工序也更多、更复杂。