铜、铝纯铜也称之为无氧高导铜(OFHC)，电阻率1．72μΩ·cm，仅次于银。它的热导率为401W(m-1K-1)，从传热的角度看，作为封装壳体是非常理想的，可以使用在需要高热导和／或高电导的封装里，然而，它的CTE高达16．5×10-6K-1，可以在刚性粘接的陶瓷基板上造成很大的热应力。金属封装形式多样、加工灵活，可以和某些部件(如混合集成的A／D或D／A转换器)融合为一体，适合于低I／O数的单芯片和多芯片的用途，也适合于射频、微波、光电、声表面波和大功率器件，可以满足小批量、高可靠性的要求。 虽然设计者可以采用类似铜的办法解决这个问题，但铜、铝与芯片、基板严重的热失配，给封装的热设计带来很大困难，影响了它们的广泛使用。国内外都有Al2O3弥散强化无氧高导铜产品，如美国SCM金属制品公司的Glidcop含有99．7％的铜和0．3％弥散分布的Al2O3。加入Al2O3后，热导率稍有减少，为365W(m-1K-1)，电阻率略有增加，为1．85μΩ·cm，但屈服强度得到明显增加。

传统金属封装材料及其局限性芯片材料如Si、GaAs以及陶瓷基板材料如A12O3、BeO、AIN等的热膨胀系数(CTE)介于3×10-6-7×10-6K-1之间。金属封装材料为实现对芯片支撑、电连接、热耗散、机械和环境的保护，应具备以下的要求：①与芯片或陶瓷基板匹配的低热膨胀系数,减少或避免热应力的产生；此外，为解决封装的散热问题，各类封装也大多使用金属作为热沉和散热片。本文主要介绍在金属封装中使用和正在开发的金属材料，这些材料不仅包括金属封装的壳体或底座、引线使用的金属材料，也包括可用于各种封装的基板、热沉和散热片的金属材料。②材料生产制造灵便，价钱持续减少，非常是可立即成型，防止了价格昂贵的生产加工花费和生产加工导致的材料耗损。铝挤、DDG、粗铣内接着将铝合金板铣成手机机身需要的尺寸，方便CNC精密加工，接着是粗铣内腔，将内腔以及夹具***的柱加工好，起到精密加工的固定作用。

金属封装外壳CNC与铝压铸融合便是先铝压铸再运用CNC深度加工。工艺优点和缺点：CNC工艺的成本费较为高，原材料奢侈浪费也比较多，自然这类工艺下的中框或外壳品质也罢一些。Cu基高分子材料全铜具备较低的退火点，它做成的底座出現变软能够造成 集成ic和／或基钢板裂开。以便提升铜的退火点，能够在铜中添加小量Al2O3、锆、银、硅。传统金属封装材料包括Al、Cu、Mo、W、钢、可伐合金以及Cu／W和Cu／Mo等金属封装外壳此外密度较大，不适合航空、航天用途。这种化学物质能够使无氧运动高导铜的退火点从320℃上升到400℃，而导热系数和导电率损害并不大 金属基高分子材料金属封装是选用金属做为罩壳或底座，集成ic立即或根据基钢板安裝在外壳或底座上，导线越过金属罩壳或底座大多数选用夹层玻璃—金属封接技术性的一种电子封装方式。它普遍用以混和电源电路的封裝，主要是和订制的专用型气密性封裝，在很多行业，尤其是在及航天航空行业获得了普遍的运用。