金属表面处理在将柱形铝材按照前面评估的胚料大小进行切割并挤压，这个过程被称之为铝挤，会让铝材挤压之后成为规则的铝板方便加工，同时更加致密，坚硬。因为原始的铝材硬度和强度都不够。 国内外都有Al2O3弥散强化无氧高导铜产品，如美国SCM金属制品公司的Glidcop含有99．7％的铜和0．3％弥散分布的Al2O3。金属基高分子材料金属封装是选用金属做为罩壳或底座，集成ic立即或根据基钢板安裝在机壳或底座上，导线越过金属罩壳或底座大多数选用夹层玻璃—金属封接技术性的一种电子封装方式。加入Al2O3后，热导率稍有减少，为365W(m-1K-1)，电阻率略有增加，为1．85μΩ·cm，但屈服强度得到明显增加。 金属封装外壳此外密度较大，不适合航空、航天用途。1．3 钢10号钢热导率为49．8 W(m-1K-1)，大约是可伐合金的三倍，它的CTE为12．6×10-6K-1，与陶瓷和半导体的CTE失配，可与软玻璃实现压缩封接。不锈钢主要使用在需要耐腐蚀的气密封装里，不锈钢的热导率较低，如430不锈钢(Fe-18Cr，中国牌号4J18)热导率仅为26．1 W(m-1K-1)。

世界各国常有Al2O3弥散加强无氧运动高导铜商品，如美国SCM金属制造公司的Glidcop带有99．7％的铜和0．3％弥散遍布的Al2O3。添加Al2O3后，导热系数稍有降低，为365W(m-1K-1)，电阻略微提升，为1．85μΩ·cm，但抗拉强度获得持续上升。这类原材料已在金属封装中获得普遍应用，如美国Sinclair公司在功率器件的金属封装中应用Glidcop替代无氧运动高导铜做为基座。虽然金属表面处理设计师铜类似的方法可以被采用以解决这个问题，但铜和铝的芯片，所述衬底的严重的热失配，所述封装的热设计了很大的困难影响它们的广泛使用。美国Sencitron公司在TO-254气密性金属封装中应用陶瓷绝缘子与Glidcop导线封接。金属表面处理解决多种形式、生产加工灵便，能够和一些构件(如混和集成化的A／D或D／A转化器)结合为一体，合适于低I／O数的单芯片和多集成ic的主要用途，也合适于频射、微波加热、光学、声表面波和大功率器件，能够考虑批量生产、销售电价的规定。

虽然金属表面处理设计师铜类似的方法可以被采用以解决这个问题，但铜和铝的芯片，所述衬底的严重的热失配，所述封装的热设计了很大的困难影响它们的广泛使用。 1.2钨，钼（Mo）具有5.35×10-6K-1的CTE，和铁镍钴合金和Al2O3匹配时，它的热导率非常高，为138 W（MK-1），正如经常气密封装基座和侧壁焊接在一起可伐，在许多包所使用的金属，所述高功率密度 的Cu / W和Cu /沫以减少铜CTE可以更小和铜的材料例如Mo，W等的CTE值的复合物，以得到铜/ W和Cu /钼金属 - 金属复合材料。这些材料具有高的导电性，导热性，同时整合钨，钼的低CTE，高硬度特性。但密度大也使Cu／W具有对空间辐射总剂量(TID)环境的优良屏蔽作用，因为要获得同样的屏蔽作用，使用的铝厚度需要是Cu／W的16倍。的Cu / W和Cu /沫CTE可以根据组分的相对含量的变化进行调整，可以用作封装基座，散热器也可以用作散热片。 形式的金属包装，加工柔性的，和特定组件（例如，混合集成A / d或d / A转换器）为一体的，对于低I / O芯片和多用途单芯片的数量，但也它适用于RF，微波，光，声表面波器件和高功率，小批量满足高可靠性要求。

金属表面处理在将柱状铝材依照前边评定的胚料尺寸开展激光切割并挤压，这一全过程被称作铝挤，会让铝材挤压以后变成标准的铝板便捷生产加工，另外更为高密度，硬实。由于初始的铝材强度和抗压强度都不足。如果制备的Cu／W及Cu／Mo致密程度不高，则气密性得不到保证，影响封装性能。金属封装多种形式、生产加工灵便，能够和一些构件(如混和集成化的A／D或D／A转化器)结合为一体，合适于低I／O数的单芯片和多集成ic的主要用途，也合适于频射、微波加热、光学、声表面波和大电力电子器件，能够考虑批量生产、销售电价的规定。因此用碳纤维(高纯石墨化学纤维)提高的铜基高分子材料在高功率主要用途很有力。与铜复合型的原材料沿碳纤维长短方向CTE为-0．5×10-6K-1，热导率600-750W(m-1K-1)，而垂直平分碳纤维长短方向的CTE为8×10-6K-1,热导率为51-59W(m-1K-1)，比沿纤维长度方向的热导率少低一个量级。