尽管设计师能够选用相近铜的方法处理这个问题，但铜、铝与集成ic、基钢板比较严重的热失配，给封裝的热设计产生挺大艰难，危害了他们的普遍应用。1．2 钨、钼Mo的CTE为5．35×10-6K-1，与可伐和Al2O3十分配对，它的热导率非常高，为138 W(m-K-1)，所以做为气密性封裝的基座与可伐的腋角电焊焊接在一起，用在许多 中、高功率密度的金属封装中。可伐可伐铝合金(Fe-29Ni-17Co，我国型号4J29)的CTE与Si、GaAs及其Al2O3、BeO、AIN的CTE比较贴近，具备优良的电焊焊接性、工艺性能，能与硼硅硬夹层玻璃配对封接，在低功率密度的金属封装中获得普遍的应用。但因为其热导率低，电阻高，相对密度也很大，使其广泛运用遭受了挺大限定。金属封装机壳压铸成形工艺：全压铸的工艺和塑胶制品的生产工艺流程十分相似，全是运用精密机械制造开展生产加工，仅仅材料由塑胶改为了溶化的金属材料；CNC与压铸融合工艺；因此用碳纤维(高纯石墨化学纤维)提高的铜基高分子材料在高功率主要用途很有力。

金属表面处理是选用金属材料做为罩壳或底座，集成ic立即或根据基板安裝在外壳或底座上，导线越过金属材料罩壳或底座大多数选用夹层玻璃—金属材料封接技术性的一种电子器件封装方式。它普遍用以混和电源电路的封装，主要是和订制的专用型气密性封装，在很多行业，尤其是在及航天航空行业获得了普遍的运用。因此用碳纤维(高纯石墨化学纤维)提高的铜基高分子材料在高功率主要用途很有力。与铜复合型的原材料沿碳纤维长短方位CTE为-0．5×10-6K-1，热导率600-750W(m-1K-1)，而垂直平分碳纤维长短方位的CTE为8×10-6K-1,热导率为51-59W(m-1K-1)，比沿纤维长度方位的热导率少低一个量级。以便降低瓷器基板上的地应力，设计师可以用好多个较小的基板来替代单一的大基板，分离走线。淬火的全铜因为物理性能差，非常少应用。冷作硬化的全铜尽管有较高的抗拉强度，但在外壳生产制造或密封性时不高的溫度便会使它淬火变软，在开展机械设备冲击性或稳定瞬时速度实验时导致外壳底端形变。这些材料具有高的导电、导热性能，同时融合W、Mo的低CTE、高硬度特性。

在金属表面处理解决中获得普遍应用，如美国Sinclair企业在电力电子器件的金属封装中应用Glidcop替代无氧运动高导铜做为基座。美国Sencitron企业在TO-254气密性金属封装中应用陶瓷绝缘子与Glidcop导线封接。很好的传热性，出示热耗散；③很好的导电率，降低传送延迟时间；④优良的EMI／RFI屏蔽掉工作能力； ⑤较低的相对密度，充足的抗压强度和强度，优良的生产加工或成型特性；⑥可镀覆性、可焊性和耐腐蚀性，以完成与集成ic、后盖板、pcb板的靠谱融合、密封性和自然环境的维护；Cu基复合材料全铜具备较低的退火点，它做成的基座出現变软能够造成集成ic和／或基钢板裂开。⑦较低的成本费。传统式金属封装材料包含Al、Cu、Mo、W、钢、可伐铝合金及其Cu／W和Cu／Mo等 传统式金属封装材料以及局限集成ic材料如Si、GaAs及其陶瓷基板材料如A12O3、BeO、AIN等的热膨胀系数(CTE)接近3×10-6-7×10-6K-1中间。金属封装材料为完成对集成ic支撑点、电联接、热耗散、机械设备和自然环境的维护，应具有下列的规定：①与集成ic或陶瓷基板配对的低热膨胀系数,降低或防止焊接应力的造成；