这类原材料已在金属封装中获得普遍应用，如美国Sinclair企业在电力电子器件的金属封装中应用Glidcop替代无氧运动高导铜做为底座。美国Sencitron企业在TO-254气密性金属封装中应用陶瓷绝缘子与Glidcop导线封接。金属金属表面处理CNC加工刚开始前，必须建模与程序编写。三d建模的难度系数由产品品种决策，构造繁琐的商品建模较难，必须程序编写的工艺流程也大量、更繁杂。金属基高分子材料金属封装是选用金属做为罩壳或底座，集成ic立即或根据基钢板安裝在机壳或底座上，导线越过金属罩壳或底座大多数选用夹层玻璃—金属封接技术性的一种电子封装方式。 金属基复合材料金属封装是采用金属作为壳体或底座，芯片直接或通过基板安装在外壳或底座上，引线穿过金属壳体或底座大多采用玻璃—金属封接技术的一种电子封装形式。它普遍用以混和电源电路的封裝，主要是和订制的专用型气密性封裝，在很多行业，尤其是在及航天航空行业获得了普遍的运用。

金属表面处理CNC与压铸结合就是先压铸再利用CNC精加工。工艺优缺点：CNC工艺的成本比较高，材料浪费也比较多，当然这种工艺下的中框或外壳质量也好一些。非常好的导热性，提供热耗散；③非常好的导电性，减少传输延迟；④良好的EMI／RFI屏蔽能力； ⑤较低的密度，足够的强度和硬度，良好的加工或成形性能；⑥可镀覆性、可焊性和耐蚀性，以实现与芯片、盖板、印制板的可靠结合、密封和环境的保护。⑥可镀覆性、可焊性和耐蚀性，以实现与芯片、盖板、印制板的可靠结合、密封和环境的保护；⑦较低的成本。传统金属封装材料包括Al、Cu、Mo、W、钢、可伐合金以及Cu／W和Cu／Mo等国内外已广泛生产并用在大功率微波管、大功率激光二极管和一些大功率集成电路模块上。由于Cu-Mo和Cu-W之间不相溶或浸润性极差，况且二者的熔点相差很大，给材料制备带来了一些问题；如果制备的Cu／W及Cu／Mo致密程度不高，则气密性得不到保证，影响封装性能。另一个缺点是由于W的百分含量高而导致Cu／W密度太大，增加了封装重量。

金属表面处理原材料工作人员在这种原材料基本上科学研究和开发设计了很多种多样金属基复合材料(MMC)，他们是以金属(如Mg、Al、Cu、Ti)或金属间化学物质(如TiAl、NiAl)为常规，以颗粒物、晶须、涤纶短纤维或持续化学纤维为提高体的一种复合材料。世界各国已普遍生产制造并且用在大功率微波加热管、大功率激光二极管和一些大功率集成电路芯片控制模块上。因为Cu-Mo和Cu-W中间不混溶或浸润性偏差，更何况二者的溶点相距挺大，给原材料制取产生了一些难题；假如制取的Cu／W及Cu／Mo高密度水平不高，则密封性无法得到确保，危害封裝特性。另一个缺陷是因为W的百分之含量高而造成Cu／W相对密度很大，提升了封裝净重。Cu基复合材料全铜具备较低的退火点，它做成的基座出現变软能够造成集成ic和／或基钢板裂开。以便提升铜的退火点，能够在铜中添加小量Al2O3、锆、银、硅。这种化学物质能够使无氧运动高导铜的退火点从320℃上升到400℃，而导热系数和导电率损害并不大。这些材料具有高的导电、导热性能，同时融合W、Mo的低CTE、高硬度特性。