虽然设计者可以采用类似铜的办法解决这个问题，但铜、铝与芯片、基板严重的热失配，给封装的热设计带来很大困难，影响了它们的广泛使用。1．2 钨、钼Mo的CTE为5．35×10-6K-1，与可伐和Al2O3非常匹配，它的热导率相当高，为138 W(m-K-1)，故常作为气密封装的底座与可伐的侧墙焊接在一起，用在很多中、高功率密度的金属封装中Cu／W和Cu／Mo为了降低Cu的CTE，可以将铜与CTE数值较小的物质如Mo、W等复合，得到Cu／W及Cu／Mo金属-金属复合材料。这些材料具有高的导电、导热性能，同时融合W、Mo的低CTE、高硬度特性。Cu／W及Cu／Mo的CTE可以根据组元相对含量的变化进行调整，可以用作封装底座、热沉，还可以用作散热片。 用作封装的底座或散热片时，这种复合材料把热量带到下一级时，并不十分有效，但是在散热方面是极为有效的。这与纤维本身的各向异性有关，纤维取向以及纤维体积分数都会影响复合材料的性能。密度大也使Cu／W具有对空间辐射总剂量(TID)环境的优良屏蔽作用，因为要获得同样的屏蔽作用，使用的铝厚度需要是Cu／W的16倍。

密度大也使Cu／W具有对空间辐射总剂量(TID)环境的优良屏蔽作用，因为要获得同样的屏蔽作用，使用的铝厚度需要是Cu／W的16倍。新型的金属封装材料及其应用除了Cu／W及Cu／Mo以外，传统金属封装材料都是单一金属或合金，它们都有某些不足，难以应对现代封装的发展。可伐可伐合金(Fe-29Ni-17Co，中国牌号4J29)的CTE与Si、GaAs以及Al2O3、BeO、AIN的CTE较为接近，具有良好的焊接性、加工性，能与硼硅硬玻璃匹配封接，在低功率密度的金属封装中得到广泛的使用。但由于其热导率低，电阻率高，密度也较大，使其广泛应用受到了很大限制。金属基复合材料金属封装是采用金属作为壳体或底座，芯片直接或通过基板安装在外壳或底座上，引线穿过金属壳体或底座大多采用玻璃—金属封接技术的一种电子封装形式。它广泛用于混合电路的封装，主要是和定制的专用气密封装，在许多领域，尤其是在军事及航空航天领域得到了广泛的应用。CNC加工加工工艺：全CNC加工说白了就是以一块铝合金板材（或是别的金属复合材料板才）刚开始，运用高精密CNC加工数控车床立即加工成必须的手机上后盖板样子，包含内框中的各种各样楼梯、凹形槽、螺钉孔等构造。

金属封装外壳在将柱形铝材按照前面评估的胚料大小进行切割并挤压，这个过程被称之为铝挤，会让铝材挤压之后成为规则的铝板方便加工，同时更加致密，坚硬。因为原始的铝材硬度和强度都不够。因而用碳纤维(石墨纤维)增强的铜基复合材料在高功率密度应用领域很有吸引力。与铜复合的材料沿碳纤维长度方向CTE为-0．5×10-6K-1，热导率600-750W(m-1K-1)，而垂直于碳纤维长度方向的CTE为8×10-6K-1,热导率为51-59W(m-1K-1)，比沿纤维长度方向的热导率至少低一个数量级。但密度大也使Cu／W具有对空间辐射总剂量(TID)环境的优良屏蔽作用，因为要获得同样的屏蔽作用，使用的铝厚度需要是Cu／W的16倍。新型的金属封装材料及其应用除了Cu／W及Cu／Mo以外，传统金属封装材料都是单一金属或合金，它们都有某些不足，难以应对现代封装的发展。它广泛用于混合电路的封装，主要是和定制的专用气密封装，在许多领域，尤其是在军事及航空航天领域得到了广泛的应用。