尽管设计师能够选用相近铜的方法处理这个问题，但铜、铝与集成ic、基钢板比较严重的热失配，给封裝的热设计产生挺大艰难，危害了他们的普遍应用。1．2 钨、钼Mo的CTE为5．35×10-6K-1，与可伐和Al2O3十分配对，它的热导率非常高，为138 W(m-K-1)，所以做为气密性封裝的基座与可伐的腋角电焊焊接在一起，用在许多 中、高功率密度的金属封装中。可伐可伐铝合金(Fe-29Ni-17Co，我国型号4J29)的CTE与Si、GaAs及其Al2O3、BeO、AIN的CTE比较贴近，具备优良的电焊焊接性、工艺性能，能与硼硅硬夹层玻璃配对封接，在低功率密度的金属封装中获得普遍的应用。但因为其热导率低，电阻高，相对密度也很大，使其广泛运用遭受了挺大限定。金属表面处理因而用碳纤维(石墨纤维)增强的铜基复合材料在高功率密度应用领域很有吸引力。金属封装机壳压铸成形工艺：全压铸的工艺和塑胶制品的生产工艺流程十分相似，全是运用精密机械制造开展生产加工，仅仅材料由塑胶改为了溶化的金属材料；CNC与压铸融合工艺；

传统金属表面处理及其局限性芯片材料如Si、GaAs以及陶瓷基板材料如A12O3、BeO、AIN等的热膨胀系数(CTE)介于3×10-6-7×10-6K-1之间。金属封装材料为实现对芯片支撑、电连接、热耗散、机械和环境的保护，应具备以下的要求：①与芯片或陶瓷基板匹配的低热膨胀系数,减少或避免热应力的产生；此外，不同产品的装夹方式不同，在加工前要设计好夹具，部分结构复杂产品需要做专门的夹具 Cu／W和Cu／Mo为了降低Cu的CTE，可以将铜与CTE数值较小的物质如Mo、W等复合，得到Cu／W及Cu／Mo金属-金属复合材料。不少低密度、的金属基复合材料非常适合航空、航天用途。金属基复合材料的基体材料有很多种，但作为热匹配复合材料用于封装的主要是Cu基和灿基复合材料。金属封装外壳压铸成型工艺：全压铸的工艺和塑料制品的生产流程十分相似，都是利用精密模具进行加工，只是材质由塑料改成了融化的金属；CNC与压铸结合工艺；

金属表面处理在将柱状铝材依照前边评定的胚料尺寸开展激光切割并挤压，这一全过程被称作铝挤，会让铝材挤压以后变成标准的铝板便捷生产加工，另外更为高密度，硬实。由于初始的铝材强度和抗压强度都不足。如果制备的Cu／W及Cu／Mo致密程度不高，则气密性得不到保证，影响封装性能。金属封装多种形式、生产加工灵便，能够和一些构件(如混和集成化的A／D或D／A转化器)结合为一体，合适于低I／O数的单芯片和多集成ic的主要用途，也合适于频射、微波加热、光学、声表面波和大电力电子器件，能够考虑批量生产、销售电价的规定。因此用碳纤维(高纯石墨化学纤维)提高的铜基高分子材料在高功率主要用途很有力。与铜复合型的原材料沿碳纤维长短方向CTE为-0．5×10-6K-1，热导率600-750W(m-1K-1)，而垂直平分碳纤维长短方向的CTE为8×10-6K-1,热导率为51-59W(m-1K-1)，比沿纤维长度方向的热导率少低一个量级。