虽然金属表面处理设计师铜类似的方法可以被采用以解决这个问题，但铜和铝的芯片，所述衬底的严重的热失配，所述封装的热设计了很大的困难影响它们的广泛使用。 1.2钨，钼（Mo）具有5.35×10-6K-1的CTE，和铁镍钴合金和Al2O3匹配时，它的热导率非常高，为138 W（MK-1），正如经常气密封装基座和侧壁焊接在一起可伐，在许多包所使用的金属，所述高功率密度 的Cu / W和Cu /沫以减少铜CTE可以更小和铜的材料例如Mo，W等的CTE值的复合物，以得到铜/ W和Cu /钼金属 - 金属复合材料。这些材料具有高的导电性，导热性，同时整合钨，钼的低CTE，高硬度特性。的Cu / W和Cu /沫CTE可以根据组分的相对含量的变化进行调整，可以用作封装基座，散热器也可以用作散热片。 形式的金属包装，加工柔性的，和特定组件（例如，混合集成A / d或d / A转换器）为一体的，对于低I / O芯片和多用途单芯片的数量，但也它适用于RF，微波，光，声表面波器件和高功率，小批量满足高可靠性要求。

在金属表面处理解决中获得普遍应用，如美国Sinclair企业在电力电子器件的金属封装中应用Glidcop替代无氧运动高导铜做为基座。美国Sencitron企业在TO-254气密性金属封装中应用陶瓷绝缘子与Glidcop导线封接。很好的传热性，出示热耗散；③很好的导电率，降低传送延迟时间；④优良的EMI／RFI屏蔽掉工作能力； ⑤较低的相对密度，充足的抗压强度和强度，优良的生产加工或成型特性；⑥可镀覆性、可焊性和耐腐蚀性，以完成与集成ic、后盖板、pcb板的靠谱融合、密封性和自然环境的维护；⑦较低的成本费。传统式金属封装材料包含Al、Cu、Mo、W、钢、可伐铝合金及其Cu／W和Cu／Mo等 传统式金属封装材料以及局限集成ic材料如Si、GaAs及其陶瓷基板材料如A12O3、BeO、AIN等的热膨胀系数(CTE)接近3×10-6-7×10-6K-1中间。金属封装材料为完成对集成ic支撑点、电联接、热耗散、机械设备和自然环境的维护，应具有下列的规定：①与集成ic或陶瓷基板配对的低热膨胀系数,降低或防止焊接应力的造成；

金属表面处理铝压铸的标准便是不奢侈浪费，省时省力和成本费，可是不利中后期的阳极氧化处理加工工艺，还将会留有沙孔气痕这些危害品质和外型的小问题，自然，生产商们常有一个产品合格率的定义，可靠的生产商是不容易让这种残品注入到后边的生产制造阶段中来的。金属封装机壳除此之外相对密度很大，不宜航空公司、航空航天主要用途。1．3 钢10号钢热导率为49．8 W(m-1K-1)，大概是可伐铝合金的三倍，它的CTE为12．6×10-6K-1，与瓷器和半导体材料的CTE失配，可与软玻璃完成缩小封接。不锈钢板关键应用在必须抗腐蚀的气密封装里，不锈钢板的热导率较低，如430不锈钢板(Fe-18Cr，我国型号4J18)热导率仅为26．1 W(m-1K-1)。尽管设计师能够选用相近铜的方法处理这个问题，但铜、铝与集成ic、基钢板比较严重的热失配，给封装的热设计产生挺大艰难，危害了他们的普遍应用。1．2 钨、钼Mo的CTE为5．35×10-6K-1，与可伐和Al2O3十分配对，它的热导率非常高，为138 W(m-K-1)，所以做为气密封装的基座与可伐的腋角电焊焊接在一起，用在许多中、高功率的金属封装中