尽管设计师能够选用相近铜的方法处理这个问题，但铜、铝与集成ic、基钢板比较严重的热失配，给封裝的热设计产生挺大艰难，危害了他们的普遍应用。1．2 钨、钼Mo的CTE为5．35×10-6K-1，与可伐和Al2O3十分配对，它的热导率非常高，为138 W(m-K-1)，所以做为气密性封裝的基座与可伐的腋角电焊焊接在一起，用在许多 中、高功率密度的金属封装中。可伐可伐铝合金(Fe-29Ni-17Co，我国型号4J29)的CTE与Si、GaAs及其Al2O3、BeO、AIN的CTE比较贴近，具备优良的电焊焊接性、工艺性能，能与硼硅硬夹层玻璃配对封接，在低功率密度的金属封装中获得普遍的应用。但因为其热导率低，电阻高，相对密度也很大，使其广泛运用遭受了挺大限定。金属封装机壳压铸成形工艺：全压铸的工艺和塑胶制品的生产工艺流程十分相似，全是运用精密机械制造开展生产加工，仅仅材料由塑胶改为了溶化的金属材料；CNC与压铸融合工艺；

传统金属封装材料及其局限性芯片材料如Si、GaAs以及陶瓷基板材料如A12O3、BeO、AIN等的热膨胀系数(CTE)介于3×10-6-7×10-6K-1之间。金属封装材料为实现对芯片支撑、电连接、热耗散、机械和环境的保护，应具备以下的要求：①与芯片或陶瓷基板匹配的低热膨胀系数,减少或避免热应力的产生；但密度大也使Cu／W具有对空间辐射总剂量(TID)环境的优良屏蔽作用，因为要获得同样的屏蔽作用，使用的铝厚度需要是Cu／W的16倍。新型的金属封装材料及其应用除了Cu／W及Cu／Mo以外，传统金属封装材料都是单一金属或合金，它们都有某些不足，难以应对现代封装的发展。金属封装外壳CNC与压铸结合就是先压铸再利用CNC精加工。工艺优缺点：CNC工艺的成本比较高，材料浪费也比较多，当然这种工艺下的中框或外壳质量也好一些。

虽然金属表面处理设计师铜类似的方法可以被采用以解决这个问题，但铜和铝的芯片，所述衬底的严重的热失配，所述封装的热设计了很大的困难影响它们的广泛使用。 1.2钨，钼（Mo）具有5.35×10-6K-1的CTE，和铁镍钴合金和Al2O3匹配时，它的热导率非常高，为138 W（MK-1），正如经常气密封装基座和侧壁焊接在一起可伐，在许多包所使用的金属，所述高功率密度 的Cu / W和Cu /沫以减少铜CTE可以更小和铜的材料例如Mo，W等的CTE值的复合物，以得到铜/ W和Cu /钼金属 - 金属复合材料。这些材料具有高的导电性，导热性，同时整合钨，钼的低CTE，高硬度特性。的Cu / W和Cu /沫CTE可以根据组分的相对含量的变化进行调整，可以用作封装基座，散热器也可以用作散热片。 形式的金属包装，加工柔性的，和特定组件（例如，混合集成A / d或d / A转换器）为一体的，对于低I / O芯片和多用途单芯片的数量，但也它适用于RF，微波，光，声表面波器件和高功率，小批量满足高可靠性要求。