密度大也使Cu／W具有对空间辐射总剂量(TID)环境的优良屏蔽作用，因为要获得同样的屏蔽作用，使用的铝厚度需要是Cu／W的16倍。新型的金属封装材料及其应用除了Cu／W及Cu／Mo以外，传统金属封装材料都是单一金属或合金，它们都有某些不足，难以应对现代封装的发展。国内外已广泛生产并用在大功率微波管、大功率激光二极管和一些大功率集成电路模块上。由于Cu-Mo和Cu-W之间不相溶或浸润性极差，况且二者的熔点相差很大，给材料制备带来了一些问题；如果制备的Cu／W及Cu／Mo致密程度不高，则气密性得不到保证，影响封装性能。另一个缺点是由于W的百分含量高而导致Cu／W密度太大，增加了封装重量。Cu／W和Cu／Mo为了降低Cu的CTE，可以将铜与CTE数值较小的物质如Mo、W等复合，得到Cu／W及Cu／Mo金属-金属复合材料。这些材料具有高的导电、导热性能，同时融合W、Mo的低CTE、高硬度特性。Cu／W及Cu／Mo的CTE可以根据组元相对含量的变化进行调整，可以用作封装底座、热沉，还可以用作散热片。

密度大也使Cu／W具备对室内空间辐射源总使用量(TID)自然环境的优质屏蔽掉***，由于要得到一样的屏蔽掉***，应用的铝薄厚必须是Cu／W的16倍。新式的金属封装材料以及运用除开Cu／W及Cu／Mo之外，传统式金属封装材料全是单一金属或铝合金，他们常有一些不够，无法解决当代封裝的发展趋势。许多密度低、的金属基复合材料特别适合航空公司、航空航天主要用途。金属基复合材料的基体材料有很多种多样，但做为热配对复合材料用以封裝的主要是Cu基和灿基复合材料。材料工作人员在这种材料基本上科学研究和开发设计了很多种多样金属基复合材料(MMC)，他们是以金属(如Mg、Al、Cu、Ti)或金属间化学物质(如TiAl、NiAl)为基体，以颗粒物、晶须、涤纶短纤维或持续化学纤维为提高体的一种复合材料。

铜、铝纯铜也称之为无氧高导铜(OFHC)，电阻率1．72μΩ·cm，仅次于银。它的热导率为401W(m-1K-1)，从传热的角度看，作为封装壳体是非常理想的，可以使用在需要高热导和／或高电导的封装里，然而，它的CTE高达16．5×10-6K-1，可以在刚性粘接的陶瓷基板上造成很大的热应力。金属封装形式多样、加工灵活，可以和某些部件(如混合集成的A／D或D／A转换器)融合为一体，适合于低I／O数的单芯片和多芯片的用途，也适合于射频、微波、光电、声表面波和大功率器件，可以满足小批量、高可靠性的要求。国内外都有Al2O3弥散强化无氧高导铜产品，如美国SCM金属制品公司的Glidcop含有99．7％的铜和0．3％弥散分布的Al2O3。加入Al2O3后，热导率稍有减少，为365W(m-1K-1)，电阻率略有增加，为1．85μΩ·cm，但屈服强度得到明显增加。