在Cu基符合材料的基础上,金属封装还可以被优化多少?
通过将高CTE的Cu高压轧制到低CTE的金属或合金基体材料上,然后退火形成固溶连接,可以制备出呈三明治结构的覆Cu材料,这是一种CTE可调、热导率可变的叠层复合材料。封装中所用的两种主要包覆Cu材料为Cu/Invar/Cu(CIC)和Cu/Mo/Cu(CMC)。
金属封装之Cu基符合材料有哪些特点呢?
Cu基复合材料
纯铜具有较低的退火点,它制成的底座出现软化可以导致芯片和/或基板开裂。为了提高铜的退火点,可以在铜中加入少量Al2O3、锆、银、硅。这些物质可以使无氧高导铜的退火点从320℃升高到400℃,而热导率和电导率损失不大。国内外都有Al2O3弥散强化无氧高导铜产品,如美国SCM金属制品公司的Glidcop含有99.7%的铜和0.3%弥散分布的Al2O3。加入Al2O3后,热导率稍有减少,金属管壳生产厂家,为365W(m-1K-1),电阻率略有增加,为1.85μΩ·cm,但屈服强度得到明显增加。
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