金属封装还可以被优化多少

在Cu／Mo基础上，Polese公司开发了Cu／Mo-Cu／Cu材料，以满足对可控CTE、高热导和高电导的需要。2003年7月第1一种厚度比为1-4—1的Cu／Mo-Cu／Cu上市，其25-400cC的热导率为300W(m-1K-1)，CTE为7．0×10-6-8．5 ×10-6K-1，密度为9．45gcm-3。可用于微波载体和热沉、微电子封装底座、GaAs器件安装和***P导体。

金属封装之Cu基符合材料有哪些特点呢？

20世纪90年代，美国开发出一种称之为Cuvar的可控制膨胀、高热导的复合材料，它是在Cu中加入低膨胀合金Invar，但热导率很低，成都金属封装外壳，为11W(m-1K-1)的粉末，由Cu基体提供了导热、导电，金属封装外壳加工厂，由Invar限制了热膨胀。Cuvar的加工性很好，容易镀Cu、Ni、Au、Ag，是传统低膨胀合金可伐和42合金(Fe-42Ni，半导体金属封装外壳，中国牌号4J42)的替代品，to金属封装外壳，也可以代替传统的W、Mo基热管理材料。但Cuvar材料受微量杂质的影响较大，Invar和Cu在烧结过程中的互相扩散对复合材料的导电、导热和热膨胀性能有一定影响。

金属外壳封装

信息技术的快速发展使集成电路的使用量急速增长，人们对集成电路外壳的封装研究也不断深入。电子元件的金属外壳的主要作用是为集成电路提供必要的电路支撑，同时具有信号传输作用，并且伴随着集成电路的发展，外壳具备了散热的作用。总之，金属外壳对于集成电路而言极为重要，对其可靠性、稳定性及成本均有一定的影响。

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