金属封装之Cu基符合材料有哪些特点呢?
Cu基复合材料
纯铜具有较低的退火点,它制成的底座出现软化可以导致芯片和/或基板开裂。为了提高铜的退火点,可以在铜中加入少量Al2O3、锆、银、硅。这些物质可以使无氧高导铜的退火点从320℃升高到400℃,而热导率和电导率损失不大。国内外都有Al2O3弥散强化无氧高导铜产品,半导体金属封装外壳,如美国SCM金属制品公司的Glidcop含有99.7%的铜和0.3%弥散分布的Al2O3。加入Al2O3后,热导率稍有减少,为365W(m-1K-1),to金属封装外壳,电阻率略有增加,为1.85μΩ·cm,但屈服强度得到明显增加。
金属封装中Cu基复合材料的结构是什么样的?其中有什么隐含的问题。
Cu基复合材料还可以采用C纤维、B纤维等、SiC颗粒、AlN颗粒等材料做增强体。如碳纤维(经高温处理可转化为石墨纤维)CTE在-1×10-6—2×10-6K-1,具有很高的弹性模量和轴向热导率,P120、P130碳纤维轴向的热导率分别为640W(m-1K-1)和1100W(m-1K-1),而用CVD方法生产的碳纤维其热导率高达2000W(m-1K-1)。因而用碳纤维(石墨纤维)增强的铜基复合材料在高功率密度应用领域很有吸引力。
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