传统金属封装材料及其局限性芯片材料如Si、GaAs以及陶瓷基板材料如A12O3、BeO、AIN等的热膨胀系数(CTE)介于3×10-6-7×10-6K-1之间。金属封装材料为实现对芯片支撑、电连接、热耗散、机械和环境的保护，应具备以下的要求：①与芯片或陶瓷基板匹配的低热膨胀系数,减少或避免热应力的产生；但密度大也使Cu／W具有对空间辐射总剂量(TID)环境的优良屏蔽作用，因为要获得同样的屏蔽作用，使用的铝厚度需要是Cu／W的16倍。此外，不同产品的装夹方式不同，在加工前要设计好夹具，部分结构复杂产品需要做专门的夹具 Cu／W和Cu／Mo为了降低Cu的CTE，可以将铜与CTE数值较小的物质如Mo、W等复合，得到Cu／W及Cu／Mo金属-金属复合材料。新型的金属封装材料及其应用除了Cu／W及Cu／Mo以外，传统金属封装材料都是单一金属或合金，它们都有某些不足，难以应对现代封装的发展。金属封装外壳CNC与压铸结合就是先压铸再利用CNC精加工。工艺优缺点：CNC工艺的成本比较高，材料浪费也比较多，当然这种工艺下的中框或外壳质量也好一些。

世界各国常有Al2O3弥散加强无氧运动高导铜商品，如美国SCM金属制造公司的Glidcop带有99．7％的铜和0．3％弥散遍布的Al2O3。添加Al2O3后，导热系数稍有降低，为365W(m-1K-1)，电阻略微提升，为1．85μΩ·cm，但抗拉强度获得持续上升。假如制取的Cu／W及Cu／Mo高密度水平不高，则密封性无法得到确保，危害封装特性。这类原材料已在金属封装中获得普遍应用，如美国Sinclair公司在功率器件的金属封装中应用Glidcop替代无氧运动高导铜做为基座。美国Sencitron公司在TO-254气密性金属封装中应用陶瓷绝缘子与Glidcop导线封接。金属表面处理解决多种形式、生产加工灵便，能够和一些构件(如混和集成化的A／D或D／A转化器)结合为一体，合适于低I／O数的单芯片和多集成ic的主要用途，也合适于频射、微波加热、光学、声表面波和大功率器件，能够考虑批量生产、销售电价的规定。

金属表面处理压铸成型工艺：全压铸的工艺和塑料制品的生产流程十分相似，都是利用精密模具进行加工，只是材质由塑料改成了融化的金属；CNC与压铸结合工艺；铝挤、DDG、粗铣内接着将铝合金板铣成手机机身需要的尺寸，方便CNC精密加工，接着是粗铣内腔，将内腔以及夹具***的柱加工好，起到精密加工的固定作用。国内外已广泛生产并用在大功率微波管、大功率激光二极管和一些大功率集成电路模块上。世界各国已普遍生产制造并且用在功率大的微波加热管、大功率激光二极管和一些功率大的集成电路芯片控制模块上。由于Cu-Mo和Cu-W之间不相溶或浸润性极差，况且二者的熔点相差很大，给材料制备带来了一些问题；如果制备的Cu／W及Cu／Mo致密程度不高，则气密性得不到保证，影响封装性能。另一个缺点是由于W的百分含量高而导致Cu／W密度太大，增加了封装重量。