目的在于减反射 钝化，PECVD即等离子体增强化学气相淀积设备，制作减少硅片表面反射的SiN 薄膜（～80nm）；SiN 薄膜中含有大量的氢离子，氢离子注入到硅片中，达到表面钝化和体钝化的目的，有效降低了载流子的复合，提高了电池的短路电流和开路电压。硅1烷与氨气反应生成SiN 淀积在硅片表面形成减反射膜。利用高频电源辉光放电产生等离子体对化学气相沉积过程施加影响的技术。

由于等离子体存在，促进气体分子的分解、化合、激发和电离，促进反应活性基团的生成，从而降低沉积温度。PECVD在200℃～500℃范围内成膜，远小于其它CVD在700℃～950℃范围内成膜。反应过程中有大量的氢离子注入到硅片中，使硅片中悬挂键饱和、缺陷失去活性，达到表面钝化和体钝化的目的。

丝网印刷，用丝网印刷的方法，完成背场、背电极、正栅线电极的制作，已引出产生的光生电流。给硅片表面印刷一定图形的银浆或铝浆，通过烧结后形成欧姆接触，使电流有效输出。

按照1年5500小时发电量就是30万千瓦×5500小时＝16．5亿千瓦时，折合标准煤耗16．5亿千瓦时×400克／千瓦时／1000000＝660万吨煤，注意，此处煤为标煤（也就是所说的7000大卡的煤，实际烧煤为原煤，一般要比标煤要高，因此实际煤耗可能还高）。各种煤的灰分不一样，在此就按照8％的灰分算，一年的向空气中的粉尘排放量为660万＊0．3％＊8％，约为1584吨（每天为4吨左右），从除尘设备排出的粉尘全是小于PM2．5的指标。