电解铝添加氟化镁缺点是氟化镁会在一定程度上减小氧化铝的溶解度和溶解速度，增大电解质密度，稍稍降低导电率等，所以MgF2只在沿炉帮附近处添加，而不添加在里边，以免在阳极底下产生多量沉淀。我国铝厂推行“勤加工，少下料”作业法，可以弥补因添加MgF2而带来的缺点。因此，氟化镁是一种有益的添加剂。一般添加为4—6％，添加氟化钙的作用基本上与MgF2一致。




氟化镁在高温时易发生氧化或水解反应，生成氧化镁杂质，氧化镁熔点较高，不易挥发，残留在生长体系中的氧化镁会导致晶体过滤降低，并造成晶体内部产生散射颗粒等缺陷，因此在整个晶体生长过程中必须避免氧气及水汽存在。在氟化镁原料中需要加入一定质量百分比的除氧剂，这样不仅能有效除去原料和晶体炉内的水分，还可以进一步氟化原料，避免氟化镁晶料水解或氧化。

氟化镁的蒸汽压较高，原料在提拉法生长的敝开体系中易挥发，因此晶体生长过程需在正压条件下进行。首先将晶体生长炉内抽至真空，然后充入高纯气至微正压，待气体均匀后将气抽出，从而将炉内的水分和氧气等杂质排除。该过程重复进行，直到晶体炉内达到真空状态，开始升温至氟化镁烧结料熔化。

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