压电晶体一般指压电单晶体，是指按晶体空间点阵长程有序生长而成的晶体。这种晶体结构无对称中心，因此具有压电性。如水晶（石英晶体）、鎵酸锂、锗酸锂、锗酸钛以及铁晶体管铌酸锂、钽酸锂等。

相比较而言，压电陶瓷压电性强、介电常数高、可以加工成任意形状，压电陶瓷圆环，但机械品质因子较低、电损耗较大、稳定性差，压电陶瓷长条，因而适合于大功率换能器和宽带滤波器等应用，但对高频、高稳定应用不理想。石英等压电单晶压电性弱，介电常数很低，受切型限制存在尺寸局限，但稳定性很高，压电陶瓷圆片，机械品质因子高，多用来作标准频率控制的振子、高选择性（多属高频狭带通）的滤波器以及高频、高温超声换能器等。近来由于铌镁酸铅Pb(Mg1/3Nb2/3)O3单晶体（Kp ≥90%， d33≥900×10-3C/N， ε≥20，000）性能特异，国内外上都开始这种材料的研究，但由于其居里点太低，离使用化尚有一段距离。

但在实际的操作过程中，中低温烧结的温度降低是有限的，低温工艺会提高PZT粉体制备的成本;添加剂的加入容易引入第二相，易降低其电学性能.研究表明[12]，研究者常采用加入过量的氧化铅成分来弥补铅的损失.加入过量的氧化铅在烧结时呈现液相，压电陶瓷，有助于粉体的致密化行为，但却降低了烧结体的致密度.又由于在PbO液相中TiO2溶解度大于ZrO2的溶解度，过量的氧化铅有可能使烧结的PZT陶瓷中钛含量偏高.而铅的热损失机理有待于进一步研究.

检测范围

超声波传感器的检测范围取决于其使用的波长和频率。波长越长，频率越小，检测距离越大，如具有毫米级波长的紧凑型传感器的检测范围为300~500mm波长大于5mm的传感器检测范围可达8m。一些传感器具有较窄的6o声波发射角，因而更适合准确检测相对较小的物体。另一些声波发射角在12o至15o的传感器能够检测具有较大倾角的物体。此外，我们还有外置探头型的超声波传感器，相应的电子线路位于常规传感器外壳内。这种结构更适合检测安装空间有限的场合。

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