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介电陶瓷:
介电陶瓷是电子陶瓷中产量大的一支,主要用在制作电容器,传统的电容器包括了温度补偿型,高K型与半导型。由於目前电子元件追求小型化,因此将多层的电容做积层的串连,成为积层电容器,大量的以***T(表面黏着技术)使用在印刷电路版上。而利用陶瓷介电性制成的高频共振元件,则运用在大哥大电话,位星通讯等高频通讯的领域,在讲究个人通讯的今日,有无穷的潜力。介电陶瓷中的铁电陶瓷具有极高的介电系数与自发性极化,利用其高介电性,可以应用在高容量DRAM(动态随机记体)的制造中。例如1996年日本三菱公司发表以BST为基础的4Gb容量DRAM,具有极高的商业潜力,利用自发性极化,可以作为非挥发性记忆体,未来可能取代硬碟,成为大容量IC记忆体的新宠儿。
就工艺而言,传统陶瓷工艺仍为经济的选择.铅压电陶瓷在材料体系、电学性能、制备工艺等多方面还存在许多不足之处,还有一些亟待解决的科学和技术问题.就作者看来,无铅压电陶瓷的研究和开发还需要做大量的工作,主要应着眼于以下6个方面:(1)钙钛矿铅基PZT陶瓷和钙钛矿无铅压电陶瓷(即BNT基、KNN基及BaTiO3基等钙钛矿无铅陶瓷)本质属性的异同.(2)无铅压电陶瓷新型体系的构建和拓展.理论计算表明,A位含Bi的(类)钙钛矿化合物BMiO3(M=A、lSc、Ga等)拥有极大的剩余极化强度,因此,含Bi钙钛矿型化合物可望成为新型[148]的无铅陶瓷候选体系.再如,已有实验表明,AgNbO3在室温下展现出双电滞回线,压电陶瓷片工厂,具有极大的极化强度(52LC/cm),有可能发展出新型的AgNbO3基无铅压电陶瓷材料.(3)BNT基和KNN基陶瓷材料压电性的起源、相变特性、温度稳定性及改性手段的研究.(4)超高温无铅压电陶瓷的研究和开发.(5)与实际生产兼容性良好的新型陶瓷制备工艺研究.(6)无铅压电陶瓷的实用化研究.认识和明确上述问题,有利于无铅压电陶瓷新型体系的构建,有利于获得新的压电性能强化手段,有效地拓展无铅压电陶瓷的研究对象,从而有力推进无铅压电陶瓷的实用化,***终实现压电陶瓷的/无铅化
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