半导体芯片退火
半导体芯片在经过离子注入以后就需要退火。因为往半导体中注入杂质离子时,高能量的入射离子会与半导体晶格上的原子碰撞,使一些晶格原子发生位移,六角栓热处理,结果造成大量的空位,将使得注入区中的原子排列混乱或者变成为非晶区,所以在离子注入以后必须把半导体放在一定的温度下进行退火,以***晶体的结构和消除缺陷。同时,退火还有施主和受主杂质的功能,城阳热处理,即把有些处于间隙位置的杂质原子通过退火而让它们进入替代位置。退火的温度一般为200~800C,比热扩散掺杂的温度要低得多。
三.奥氏体不锈钢的热处理
奥氏体不锈钢常用的热处理工艺有?固溶处理、稳定化处理和去应力处理等。
?1?固溶处理。将钢加热到1050?1150℃后水淬?主要目的是使碳化物溶于奥氏体中?
并将此状态保留到室温 ?这样钢的耐蚀性会有很大改善。如上所述?为了防止晶问腐蚀?
通常采用固溶化处理?使Cr23C6溶于奥氏体中?然后快速冷却。对于薄壁件可采用空冷 ?
一般情况采用水冷。
316(0Cr17Ni12Mo2)不锈钢零件热处理工艺
要达到的目的:
1,减小材料的弹性滞后和弹性后效,销钉热处理,使得材料在升温(升压)和降温)过程中形变状态趋于稳定;即就是在每一次升温(升压)过程的每个点,应变值能达到稳定,降温(时也是如此。能保证升、)时每个点应变值都是一致的。
2,消除机械加工和热处理过程中所产生的应力; 工艺过程(参考下图)
如果先在真空炉中高温1010~1150℃环境下,保温3min进行固溶处理,内六角热处理,进行奥氏体晶粒细化,之后,在430℃~480℃环境中保温1.5h进行回火处理。
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