半导体芯片退火
半导体芯片在经过离子注入以后就需要退火。因为往半导体中注入杂质离子时,高能量的入射离子会与半导体晶格上的原子碰撞,使一些晶格原子发生位移,结果造成大量的空位,将使得注入区中的原子排列混乱或者变成为非晶区,所以在离子注入以后必须把半导体放在一定的温度下进行退火,以***晶体的结构和消除缺陷。同时,退火还有施主和受主杂质的功能,即把有些处于间隙位置的杂质原子通过退火而让它们进入替代位置。退火的温度一般为200~800C,比热扩散掺杂的温度要低得多。
316(0Cr17Ni12Mo2)不锈钢零件热处理工艺
要达到的目的:
1,减小材料的弹性滞后和弹性后效,使得材料在升温(升压)和降温)过程中形变状态趋于稳定;即就是在每一次升温(升压)过程的每个点,应变值能达到稳定,降温(时也是如此。能保证升、)时每个点应变值都是一致的。
2,消除机械加工和热处理过程中所产生的应力; 工艺过程(参考下图)
如果先在真空炉中高温1010~1150℃环境下,齿轮架热处理,保温3min进行固溶处理,进行奥氏体晶粒细化,之后,胶南热处理,在430℃~480℃环境中保温1.5h进行回火处理。
退火的一个***主要工艺参数是加热温度(退火温度),传动套热处理,大多数合金的退火加热温度的选择是以该合金系的相图为基础的,如碳素钢以铁碳平衡图为基础(图1)。各种钢(包括碳素钢及合金钢)的退火温度,视具体退火目的的不同而在各该钢种的Ac3以上、Ac1以上或以下的某一温度。
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