在芯片制造领域，光刻机和蚀刻机一直是芯片制造领域的关键。在业界有个形象的比喻，光刻机是芯片制造的魂，蚀刻机是芯片制造的魄，如果要想制造的芯片，这两个东西都必须。

而在光刻机方面，与世界的7nm制程都相去甚远。不管三星、英特尔还是台积电在芯片制程工艺方面如何去竞争，但A***L终究是背后霸主，赢家，因为他们谁都离不开他的EUV光刻机。而国产光刻机还在路上，目前我国已经能够使用365纳米波长的光生产22纳米工艺的芯片，这在全世界尚无先例，它也被称为世界上首台分辨力的紫外超分辨光刻装备。这也意味着国产光刻机可以使用低成本光源，实现了更高分辨力的光刻。

因此，蚀刻部位的金属不断地溶解并在金属的表面留下当量电子，其反应式

如下：

式中 M-蚀刻金属的原子；

ne—溶解金属留下的当量电子数；

M ne—失去ne个电子的金属离子，未水合化；

M ne.xH20—进入电解液的金属水合离子。

阴极上的反应是电解溶液中的还原性物质如氢离子、氧分子或金属正离子等在阴极上得到电子，还原成氢气析出或生成氢氧根负离子或金属沉积物附着在阴极上，因此阴极反应是各种还原反应的结果。其电极反应如下：2H 2e→H2↑2H20 02 4e→40H-M ne ne→M↓

从上可以看到，电解蚀刻主要是利用电流加快蚀刻部位金属的溶解，而不是化学蚀刻那样要加入各种添加剂，特别是催速剂。在某种条件下还可能一面将蚀刻的金属溶解，另一方面又能将溶解的金属在阴极上沉积而回收。从示意图6—7上可以看到电解蚀刻需要有专用的电解设备、电源系统及配电设施，在实际操作时，还要有挂具和装卸作业等。

蚀刻

1.化学蚀刻

蚀刻液一般都是强酸或强碱。尽可能使反应快速完成，一般蚀刻速度为0.04mm/分钟，蚀刻速度越快，侧蚀的程度就越小，所得到的工件精密度就越高。

2.电化学蚀刻

把工件做阳极，在电解液中通电，工件上未被保护部位因作阳极而溶解，从而达到蚀刻的目的。电化学蚀刻的蚀刻速率一般由工件表面的电流密度来控制。

对于蚀刻完成既为成品的产品，直接退去保护油墨。要根据所采用的油墨性质来选用脱墨液：

1.对于水性油墨，可采用20%水溶液/50~60℃浸泡约十分钟，然后擦拭，去除油墨。

2.对于油性油墨，要用进行浸泡约十分钟，然后进行擦洗去除。

对于蚀刻的成品，进行手工填漆、电泳涂装或者电镀，从而形成同一平面两种双色甚至多种颜色的外观效果