温度对微弧氧化的影响

微弧氧化与阳极氧化不同，所需温度范围较宽。一般为10—90度。温度越高，成膜越快，但粗糙度也增加。且温度高，会形成水气。一般建议在20—60度。由于微弧氧化以热能形式释放，所以液体温度上升较快，微弧氧化过程须配备容量较大的热交换制冷系统以控制槽液温度。微弧氧化技术、微弧氧化生产线2、微弧氧化技术绝缘性好耐热性高，可承受高温使用，范围根据基材熔点温度有良好的绝缘性能，绝缘电阻膜阻gt。所以微弧氧化过程中一定要控制好温度。微弧、微弧氧化、微弧氧化技术、微弧氧化电源

微弧氧化现象及特点

在阳极氧化过程中，当铝合金上施加的电压超过一定范围时，铝合金表面的氧化膜就会被击穿。随着电压的继续不断升高，氧化膜的表面会出现辉光放电，微弧和火花放电灯现象。其中只有微弧区的温度适中，既可使氧化膜的结构发生变化，又不造成铝合金材料表面的受损，微弧氧化就是利用这个温度区对材料表面进行改性处理的。但是普通的低温釉工艺，烧结温度高达900度，铝镁金属的熔点是600多度，因此严重制约了微弧氧化后处理的发展，对终端消费品外壳的客户来说，彩色是必备的选择。微弧氧化技术特点、微弧氧化工艺、微弧氧化电源、微弧氧化生产线

微弧氧化的发展

由于微弧氧化是在阳极氧化膜被电ji穿的基础上进行的，所以在探讨微弧氧化机理时我们要结合电ji穿理论的研究和发展，从而阐述微弧氧化基本原理。微弧氧化技术就是在电ji穿理论的基础上加以研究和应用的新型表面力一技术。自1932年Betz等观察到电ji穿的现象以来，许多研究者都对电ji穿产生的原因 过各种各样的假设和模型。总体上看，电ji穿理论经历了离子电流机理、热作用机理、机械作用机理以及电子雪崩机理等不同的发展阶段。微弧氧化是一种直接在有色金属表面原位生长陶瓷层的新技术，微弧氧化技术是近十几年在阳极氧化基础上发展起来的，但两者在机理上、工艺上以及膜层性能上都有许多不同之处。了解电ji穿原理，对于研究微弧氧化机理，开发新的表面处理技术均有着重要的理论意义。