陶瓷半导体化的方法主要有强制还原法和施主掺杂法（亦称原子价控法）两种。两种方法都是在陶瓷的晶体中形成

子空位等缺陷，从而提供大量导电电子，使陶瓷中的晶粒成为某种类型(通常是 N型)的半导体。而这些晶粒之间的间层为绝缘层或另一类型（P 型）的半导体层。

半导体陶瓷种类很多，其中包括利用半导体瓷中晶粒本身性质制成的各种负温度系数热敏电阻；利用晶界性质制成的半导体电容器、ZnO 压敏电阻器、BaTiO3系正温度系数热敏电阻器、CdS/Cu2S太阳能电池；以及利用表面性质制成的各种陶瓷型湿敏电阻器和气敏电阻器等。表2列出典型的传感器用半导体陶瓷。

氧化铝陶瓷的超高压烧结，几十万大气压以上的一个压力下进行烧结，能够直接的使资料快速的达高密度，这样的话，会直接的具有细晶粒。能够使晶体构造电子状态以至使它原子发作一系列变化，这样的话，能够直接的赋予资料在通常烧结或者是热压烧结工艺下的时分，所达不到一个性能。并且，氧化铝陶瓷的超高压烧结能够直接的合成一种新型的人造矿物质。

氧化锆的熔点很高，高达2000℃以上。正是由于氧化锆的高熔点和化学惰性，使其成为各种加工制造的优良耐火材料。

在硬度和耐磨性方面都非常好。从具体数据来看，氧化锆陶瓷的MOH硬度约为8.5，与蓝宝石非常接近，远高于镁铝合金。在许多情况下，氧化锆陶瓷由于其高硬度的应用而得 到了广泛的应用。

具有很大的强度。虽然与金属相比，它的韧性有一些差异，但与其他陶瓷材料相比，它是一种的材料。

陶瓷滤波器烧结炉具有如下特点：升温速率快、能耗低。该滤波器烧结炉耐火材料选择的真空浇筑工艺制备的氧化铝纤维，该耐火材料蓄热小，热稳定性好。温度均匀性高。该设备经过测试，就有比我司上一代炉更高的均温性。温控精度高。该滤波器烧结炉采用进口级PID温控仪表，温控表可以设置多达40步的程序。该设备采用环形加热，热场稳定。该炉全部采用硅钼棒作为电热元件，布局合理，使用寿命长。进出气系统配置丰富。配置有压缩空气进气口、气动压力调节阀、流量计等。