陶瓷半导体化的方法主要有强制还原法和施主掺杂法（亦称原子价控法）两种。两种方法都是在陶瓷的晶体中形成

子空位等缺陷，从而提供大量导电电子，使陶瓷中的晶粒成为某种类型(通常是 N型)的半导体。而这些晶粒之间的间层为绝缘层或另一类型（P 型）的半导体层。

半导体陶瓷种类很多，其中包括利用半导体瓷中晶粒本身性质制成的各种负温度系数热敏电阻；利用晶界性质制成的半导体电容器、ZnO 压敏电阻器、BaTiO3系正温度系数热敏电阻器、CdS/Cu2S太阳能电池；以及利用表面性质制成的各种陶瓷型湿敏电阻器和气敏电阻器等。表2列出典型的传感器用半导体陶瓷。

生成压电陶瓷的过程是一个化学反应的过程 ，这种化学反应不是在熔融的状态下进行的 ，而是在比熔融低的温度下进行的 ，即在预烧的温度下进行的预烧的目的是， 除去结合水、碳酸盐中的CO?和可挥发的杂质 使氧化物产生热化学反应而形成所希望的固溶体 并减少瓷片烧成时的体积收缩 。理想情况下 ，预烧温度要选得高一些 ，使得陶瓷粉料能够发生完全反应 ，陶瓷环，但实际生产中 ，预烧温度又要低一些 ，***陶瓷，避免挥发性氧化物的损失 。因此，预烧温度过高和过低都对压电陶瓷的性能不利，特别是对提高烧成后陶瓷的致密度不利。

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