PCB厂内层无尘室里的湿度洁净是多少
相对湿度是洁净室运作过程中一个常用的环境控制条件。半导体洁净室中的典型的相对湿度的目标值大约控制在30至50%的范围内，允许误差在±1%的狭窄的范围内，例如光刻区──或者在远紫外线处理（DUV）区甚至更小──而在其他地方则可以放松到±5%的范围内。
这些年里，在这些规定范围中保持处理空气过程，使我们必需承担资金和营运费用。但是为什么值得花费这么多钱用在洁净室中控制相对湿度呢？
道理很简单！因为相对湿度有一系列可能使洁净室总体表现下降的因素，其中包括：
***生长；
工作人员感到室温舒适的范围；
出现静电荷；
金属腐蚀；
水汽冷凝；
光刻的退化；
吸水性。
***和其他生物污染（霉菌，病毒，***，螨虫）在相对湿度超过60%的环境中可以活跃地繁殖。一些菌群在相对湿度超过30%时就可以增长。在相对湿度处于40%至60%的范围之间时，可以使***的影响以及呼吸道***降至***1、低。
相对湿度在40%至60%的范围同样也是人类感觉舒适的适度范围。湿度过高会使人觉得气闷，净化工程施工，而湿度低于30%则会让人感觉干燥，皮肤皲裂，呼吸道不适以及情感上的不快。
高湿度实际上减小了洁净室表面的静电荷积累──这是人们希望的结果。较低的湿度比较适合电荷的积累并成为潜在的具有***性的静电释放源。当相对湿度超过 50%时，静电荷开始迅速消散，但是当相对湿度小于30%时，它们可以在绝缘体或者未接地的表面上持续存在很长一段时间。
相对湿度在35%到40%之间可以作为一个令人满意的折中，无菌室净化工程，半导体洁净室一般都使用额外的控制装置以限制静电荷的积累。
很多化学反应的速度，包括腐蚀过程，将随着相对湿度的***而加快。所有暴露在洁净室周围空气中的表面都很快地被覆盖上至少一层单分子层的水。当这些表面是由可以与水反应的薄金属涂层组成时，净化，高湿度可以使反应加速。幸运的是，一些金属，例如铝，可以与水形成一层保护型的氧化物，并阻止进一步的氧化反应；但另一种情况是，例如氧化铜，是不具有保护能力的，因此，在高湿度的环境中，铜制表面更容易受到腐蚀。
在相对湿度较高的环境中，浓缩水形的毛细管力在颗粒和表面之间形成了连接键，可以增加颗粒与硅质表面的黏附力。这种效应──凯尔文浓缩──当相对湿度小于50%时并不重要，但当相对湿度在70%左右时，就成为颗粒之间黏附的主要力量。
到目前为止，在半导体洁净室中***迫切需要适度控制的是光刻胶的敏***。由于光刻胶对相对湿度极为敏感的特性，它对相对湿度的控制范围的要求是***严格的。
实际上，相对湿度和温度对于光刻胶稳定性以及精1、确的尺寸控制都是很关键的。甚至是在恒温条件下，光刻胶的粘性将随着相对湿度的上升而迅速下降。当然，改变粘性，就会改变由固定组分涂层形成的保护膜的厚度。参考两个城市，一个试验证实，相对湿度的3%的变异将使保护厚度改变59.2 A 。
此外，在高的相对湿度环境下，由于水分的吸收，使烘烤循环后光刻胶膨胀加重。光刻胶附着力同样也可以受到较高的相对湿度的***影响；较低的相对湿度（约30%）使光刻胶附着更加容易，甚至不需要聚合改性剂，如六甲基二硅氮烷（HMDS）。
在半导体洁净室中控制相对湿度不是随意的。但是，随着时间的变化，***、1好回顾一下常见的被普遍接受的实践的原因和基础。
净化工程复合式为将乱流式及层流式予以复合或并用，可提供局部超洁净之空气。
洁净隧道(Clean
Tunnel)：以HEPA或ULPA过滤器将制程区域或工作区域百1分百覆盖使洁净度等级提高至10级以上，可节省安装运转费用。此型式需将作业人员之工作区与产品和机器维修予以隔离，以避免机器维修时影响工作及品质。ULSI制程大都采用此种型式。
洁净隧道另有二项优点：
A.弹性扩充容易;
B.维修设备时可在维修区轻易执行。
净化工程层流式：空气气流运动成一均匀之直线型，空气由覆盖率百1分百之过滤器进入室内，并由高架地板或两侧隔墙板回风。此型式适用于洁净室等级需定较高的环境使用，一般其洁净室等级为Class1~100。
其型式可分为二种：
(1)水平层流式：水平式空气自过滤器单方向吹出，由对边墙壁之回风系统回风，1尘埃随风向排出室外，净化安装工程，一般在下流侧污染较严重。优点：构造简单，运转后短时间内即可变成稳定。缺点：建造费用比乱流式高，室内空间不易扩充。
(2)垂直层流式：房间天花板完全以ULPA过滤器覆盖，空气由上往下吹，可得较高之洁净度，在制程中或工作人员所产生的尘埃可快速排出室外而不会影响其它工作区域。优点：管理容易，运转开始短时间内即可达稳定状态，不易为作业状态或作业人员所影响。
缺点：构造费用较高，弹性运用空间困难，天花板之吊架相当占空间，维修更换过滤器较麻烦。
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