TVS管与ESD保护二极管的区别 TVS瞬态电压***

这里不论TV是如何产生的，比如直接或者间接的雷击，静电放电，大容量的负载投切等因素导致的浪涌.电压从几伏到几十千伏甚至更高. ESD静电放电保护

这里的ES主要是三种模型所表述.

其中主要应用是HBM 和 MM，简单说，就是人或者设备对器件放电(静电)，但是器件不能损坏. 典型的HBM CLASS 1C模型规定 一个充电1000V-2000V的100pF的电容通过一个1500欧姆的电阻对器件放电.

MM模型要比***模型能量大一些.电容是200pF，电压大概在200-400之间，不过没有串联电阻了.

典型的***模型放电，峰值电流小于0.75A，时间150ns 典型的机器模型放电，峰值电流小于8A，时间5ns

TVS管

TVS管是一种限压型的过压保护器件，也叫又叫瞬态电压***二极管，tvs二极管厂，瞬变***二极管，瞬态***二极管等，以pS级的速度把过高的电压限制在一个安全范围之内，从而起到保护后面电路的作用。

广泛应用在半导体及敏感的电子零件过电压、ESD保护上，tvs二极管生产，主要包括：消费类产品、工业产品、通讯、电脑、汽车、电源供应器、信号线路保护及军事、 航天航空导航系统及控制系统上。 反应速度快，电压***能力强，有***AJ，***BJ，***CJ，***DJ，P4KE，SA，P6KE，1.5KE，3KP，张家口tvs二极管，5KP，15KPA，20KPA，30KPA系列和低电容的SAC(500W，50Pf)，LCE(1.5KW，100Pf)系列。

产品通过一系列安全可靠的认证，如UL、无铅认证，符合IEC61000-4-2，IEC 61643-321：2001测试标准。

TVS器件的选用

电容量C是由TVS雪崩结截面决定的，这是在特定的1 MHz频率下测得的。C的大小与TVS的电流承受能力成正比，C太大将使信号衰减。因此，C是数据接口电路选用TVS的重要参数。对于数据/信号频率越高的回路，二极管的电容对电路的干扰越大，形成噪声或衰减信号强度也大，tvs二极管生产商，因此，需要根据回路的特性来决定所选器件的电容范围。高频回路一般选择电容应尽量小(如LCTVS、低电容TVS，电容不大于3 pF)，而对电容要求不高的回路，电容的容量选择可高于40pF。

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