单晶硅太阳能电池板详细参数

难题锦集:

1、什么叫太阳能电池答:太阳光能电池是根据半导体材料的太阳能发电效用将太阳辐射量立即变换为电磁能的集成电路工艺。如今技术化的太阳能电池关键有下列几类种类:单晶硅太阳光能电池、多晶硅太阳能发电电池、非晶硅太阳能电池，现阶段也有碲华镉电池、铜铟硒电池、纳米技术氧化钛敏化电池、多晶硅塑料薄膜太阳能电池及有机化学太阳能电池等。结晶硅(多晶硅、多晶太阳能电池必须高纯的硅原料，一般规定纯净度少是99.99998%，也就是说一无数个硅原子中多容许2个残渣原子存有。硅材料是用二氧化硅(SiO2，也就是说人们所了解的碎石子作为原料，将其熔融并去除残渣就可制得粗级硅。从二氧化硅到太阳能电池片，涉及到好几个生产加工工艺和全过程，一般大概分成:二氧化硅 — gt; 冶金级硅 — gt;高纯 — gt;高纯度多晶硅 — gt;单晶硅棒或多晶硅锭 — gt;硅片 — gt;太阳能电池片。

太阳能电池工作原理-光生伏打效应

太阳能电池板能量转换的基本是半导体材料PN结的光生伏打效用。如前所述，库存太阳能板多少钱，当光照射半导体材料太阳能发电元器件处时，动能超过硅禁带宽度的光子美容越过减反射膜进到硅中，在N区、耗尽区和P区中激起出光生电子--空穴对。

耗尽区：光生电子--空穴对在耗尽区中造成后，马上被内建电场分离出来，光生电子被送入N区，光生空穴则被推动P区。依据耗尽类似标准，耗尽区界限处的载流子浓度值类似为0，即p=n=0。在N区中：光生电子--空穴对造成之后，光生空穴便向P-N结界限外扩散，一旦抵达P-N结界限，便马上遭受内建电场***，被电场力牵引带作飘移健身运动，翻过耗尽区进到P区，光生电子（多子）则被留到N区。

在P区中：的光生电子（少子）一样的先由于外扩散、后由于飘移而进到N区，光生空穴（多子）留到P区。这般便在P-N结两边产生了正、负电的累积，使N区存储了产能过剩的电子，P区有产能过剩的空穴。进而产生与内建电场方位反过来的光生电场。

1.光生电场除开一部分相抵势垒电场的***外，还使P区带正电，N区带负电，在N区和P区中间的层析就造成电动势，这就是说光生伏打效用。当充电电池接好一负荷后，光电流就从P区经负荷流至N区，负荷中即获得输出功率輸出。

2.假如将P-N结两边引路，能够测出这一电动势，称作开路电压Uoc。对结晶硅充电电池而言，开路电压的典型值为0.5～0.6V。3.假如将外电路短路故障，则外电路中总有与入射光动能正比的光电流穿过，这一电流量称之为短路容量Isc。

提高太阳能电池效率，必须提高开路电压 Uoc、短路电流 ISC 和填充因子 FF 这三个基本参量。而这 3个参量之间往往是互相牵制的，库存太阳能板，如果单方面提高其中一个，可能会因此而降低另一个， 以至于总效率不仅没提高反而有所下降。 因而在选择材料、 设计工艺时必须全盘考虑，力求使 3个参量的乘积。

1. 材料能带宽度 :开路电压 UOC随能带宽度 Eg 的增大而增大， 但另一方面， 短路电流密度随能带宽度 Eg的增大而减小。结果可期望在某一个确定的 Eg 处出现太阳电池效率的峰值。用 Eg 值介于 1.2 ～1.6eV 的材料做成太阳电池，可望达到效率。薄膜电池用直接带隙半导体更为可取，因为它能在表面附近吸收光子。

2. 温度 :

少子的扩散长度随温度的升高稍有增大，因此光生电流也随温度的升高有所增加，但UOC随温度的升高急剧下降。填充因子下降，所以转换效率随温度的增加而降低。

3. 辐照度 :

随辐照度的增加短路电流线性增加，库存太阳能板采购， 功率不断增加。 将阳光聚焦于太阳电池， 可使一个小小的太阳电池产生出大量的电能。

4. 掺杂浓度 :

对 UOC有明显影响的另一因素是半导体掺杂浓度。掺杂浓度越高，库存太阳能板回收， UOC越高。但当硅中杂质浓度高于 1018/cm3时称为高掺杂， 由于高掺杂而引起的禁带收缩、 杂质不能全部电离和少子寿命下降等等现象统称为高掺杂效应，也应予以避免。

5. 光生载流子复合寿命 :

对于太阳电池的半导体而言， 光生载流子的复合寿命越长， 短路电流会越大。 达到长寿命的关键是在材料制备和电池的生产过程中， 要避免形成复合中心。 在加工过程中， 适当而且经常进行相关工艺处理，可以使复合中心移走，而且延长寿命。

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