单晶硅太阳能电池板详细参数

难题锦集:

1、什么叫太阳能电池答:太阳光能电池是根据半导体材料的太阳能发电效用将太阳辐射量立即变换为电磁能的集成电路工艺。如今技术化的太阳能电池关键有下列几类种类:单晶硅太阳光能电池、多晶硅太阳能发电电池、非晶硅太阳能电池，现阶段也有碲华镉电池、铜铟硒电池、纳米技术氧化钛敏化电池、多晶硅塑料薄膜太阳能电池及有机化学太阳能电池等。结晶硅(多晶硅、多晶太阳能电池必须高纯的硅原料，一般规定纯净度少是99.99998%，也就是说一无数个硅原子中多容许2个残渣原子存有。硅材料是用二氧化硅(SiO2，也就是说人们所了解的碎石子作为原料，将其熔融并去除残渣就可制得粗级硅。从二氧化硅到太阳能电池片，涉及到好几个生产加工工艺和全过程，一般大概分成:二氧化硅 — gt; 冶金级硅 — gt;高纯 — gt;高纯度多晶硅 — gt;单晶硅棒或多晶硅锭 — gt;硅片 — gt;太阳能电池片。

温度对太阳能电池板暗电流的影响

对太阳能电池板来讲，暗电流不但包含PN结的反方向饱和电流，贵州光伏板，还包含充电电池的层析***电流图4不一样温度下的的暗电流曲线图和体***电流。暗电流的来源于关键有2个层面，一方面来源于难以避免的辐射复合，另一方面是锂电池材料及充电电池制取全过程中产生的缺点和引入的残渣。这种缺点和残渣产生很多的复合中心，损害光生载流子。以便实际科学研究不一样成份的暗电流对充电电池的危害，

复合中心浓度为1x1010cm-35。时， 基本上不随温度转变，值约为1，这表明复合中心造成的暗电流能够忽略，电流量的损害关键是辐射复合；复合中心浓度为1x1016cm-3时，值约为0，这时候辐射复合造成的暗电流能够忽视，暗电流关键由缺点残渣产生的复合中心奉献，光生载流子经复合中心，很多图5不一样nt下辐射复合权重值与温度的关联损害；复合中心浓度为1x1015cm-3时，二者产生的复合电流量非常，随之温度的上升，复合中心的危害越米越大。由图6所知，高复合中心高溫下严重危害转换效率，无边框光伏板多少钱，但随之温度的减少，这类危害在变弱，无边框光伏板价格，且三条曲线在超低温方位有聚集的发展趋势。这由于超低温下，电子器件的热速率减少。复合中心虏获载流子的几率减少了。选择300K，竖向看，复合中心浓度由1x1010cm-3提升到1x1015cm-3，***率减少了2.6%，由1x1015cm-3提升到1x1016cm-3，***率却降低了4.1%，这表明，温度一定时执行，充电电池对复合中心浓度有一个忍受范畴。假定短路容量相当于光生电流量，则暗电流的危害关键反映在开路电压上。

从固体物理学上讲，硅材料并不是的光伏材料，这主要是因为硅是间接能带半导体材料，其光吸收系数较低，所以研究其他光伏材料成为一种趋势。其中， (CdTe)和铜铟硒 (CuInSe2)被认识是两种非常有前途的光伏材料， 而且目前已经取得一定的进展， 但是距离大规模生产，并与晶体硅太阳电池抗衡需要大量的工作去做。

单晶硅太阳能电池的特点：

1.光电转换效率高，可靠性高；

2.***的扩散技术，保证片内各处转换效率的均匀性；

反射膜，颜色均匀美观；

3.运用***的 PECVD成膜技术，在电池表面镀上深蓝色的氮化硅减

4.应用高品质的金属浆料制作背场和电极，确保良好的导电性。多晶硅可作拉制单晶硅的原料， 多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面。 例如， 在力学性质、 光学性质和热学性质的各向异性方面， 远不如单晶硅明显； 在电学性质方面，多晶硅晶体的导电性也远不如单晶硅显著， 甚至于几乎没有导电性。 在化学活性方面， 两者的差异。 多晶硅和单晶硅可从外观上加以区别， 但真正的鉴别须通过分析测定晶体的晶面方向、导电类型和电阻率等。供不应求，发展前景十分广阔。正因为如此，很多人都说，谁掌握了多晶硅及微电子技术，谁就掌握了世界。

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