依据机械加工原理、半导体材料工程学、物力化学多相反应多相催化理论、表面工程学、半导体化学基础理论等，对硅单晶片化学机械抛光（CMP）机理、动力学控制过程和影响因素研究标明，化学机械抛光是一个复杂的多相反应，它存在着两个动力学过程：（1）抛光首先使吸附在抛光布上的抛光液中的氧化剂、催化剂等与衬底片表面的硅原子在表面进行氧化还原的动力学过程。这是化学反应的主体。（2）抛光表面反应物脱离硅单晶表面，即解吸过程使未反应的硅单晶重新出来的动力学过程。它是控制抛光速率的另一个重要过程。硅片的化学机械抛光过程是以化学反应为主的机械抛光过程，七台河化学抛光剂，要获得质量好的抛光片，必须使抛光过程中的化学腐蚀作用与机械磨削作用达到一种平衡。如果化学腐蚀作用大于机械抛光作用，则抛光片表面产生腐蚀坑、桔皮状波纹。如果机械磨削作用大于化学腐蚀作用，则表面产生高损伤层。

优点化学抛光的优点是化学抛光设备简单，不需要什么特殊设备，只需要一个盛抛光液的玻璃杯和夹持试样的夹子就可以了。如果用细薄磨料片切割的试样，切割后不需要砂纸磨光，即可直接抛光。有些非导体材料也可以用化学抛光，非导体嵌镶的试样也可以直接抛光。化学抛光也可以处理形状比较复杂的零件

缺点1、化学抛光的质量不如电解抛光。2、化学抛光所用溶液的调整和再生比较困难，在应用上受到限制。3、化学抛光操作过程中，散发出大量黄棕色***气体，对环境污染非常严重。4、抛光溶液的使用寿命短，溶液浓度的调节和再生比较困难

注意事项根据我公司长时间对抛光工艺的摸索与实践，光亮剂在抛光液中几乎消耗相当细微，因此时视具体的情况配比补加光亮剂，化学抛光剂价格，新配抛光溶液抛光时间要短；温度偏高时，抛光时间要短些，若抛光2min以上仍不光亮时，化学抛光剂生产商，可观察抛光时液面泡沫的多少，酌情添加光亮剂，泡沫少时可按适当比例添加部份光亮剂，泡沫多时只要按比例加入磷酸和***即可。生产一段时间后的溶液呈乳白色且粘度大，所以化学抛光后的产品需要反复清洗，否则酸液残留于工件表面将会导致表面产生白霜点。

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