化学抛光：

可用于仪器制造、铝型材铝质反光镜的制造,以及其他零件和镀层的装饰性加工.同电解抛光比较,化学抛光的优点是：不需外加电源,可以处理形状更为复杂的零件,生产等.但是化学抛光的表面质量,一般略低于电解抛光,溶液的调整和再生也比较困难,往往抛光过程中会析出氧化氮等***气体。其实这点现在的技术也已经解决，市面上有如无烟两酸化学抛光高光光亮剂等抛光***，其不含，不会产生有危害的黄烟

铝合金产品传统的三酸抛光的化学工艺配方为：磷酸80%，***10%，10%。目前磷酸的价格为5400元/吨，***700元/吨，2300元/吨（以上价格仅作为参考）。那么我们传统的配方成本为：磷酸800ml*1.70*5.40=7.344元，***100ml*1.84*0.7=0.13元，100ml*1.40*2.30=0.32元，那么一升抛光液合计的成本为7.8元。目前我公司研制成功的OY系列铝处理化学抛光工艺，磷酸为500ml/l,***500ml/l,光亮剂20ml/l, 成本核算为：500ml*1.70*5.40=4.59元；***500*1.84*0.7=0.644;光亮剂计0.65元，合计5.85元。因此，我公司OY系列铝处理工艺，成本足足下降了20%。而且OY系列产品在处理铝的时候,无任何黄烟，大大的改善了生产环境；处理成品率可以在到98%以上，几乎无因为抛光而造成的报废品；光亮度好，与三酸处理无异；维护管理容易，溶液性能稳定。因此，我公司极力推荐使用本产品。

这两个概念主要出半导体加工过程中，的半导体基片（衬底片）抛光沿用机械抛光、例如氧化镁、氧化锆抛光等，但是得到的晶片表面损伤是极其严重的。直到60年代末，一种新的抛光技术——化学机械抛光技术（CMP Chemical Mechanical Polishing ）取代了旧的方法。CMP技术综合了化学和机械抛光的优势：单纯的化学抛光，抛光速率较快，表面光洁度高，损伤低，平整性好，但表面平整度和平行度差，抛光后表面一致性差；单纯的机械抛光表面一致性好，表面平整度高，但表面光洁度差，损伤层深。化学机械抛光可以获得较为平整的表面，又可以得到较高的抛光速率，得到的平整度比其他方法高两个数量级，是能够实现全局平面化的有效方法。

半导体行业CMP技术还广泛的应用于集成电路(IC)和超大规模集成电路中(ULSI)对基体材料硅晶片的抛光。随着半导体工业的急速发展，对抛光技术提出了新的要求，传统的抛光技术（如：基于淀积技术的选择淀积、溅射等）虽然也可以提供“光滑”的表面，但却都是局部平面化技术，不能做到全局平面化，而化学机械抛光技术解决了这个问题，它是可以在整个硅圆晶片上平坦化的工艺技术。