①温度。化学抛光时，溶解速度随着抛光液温度的提高而显著地增加。此外，强氧化性酸（如浓、等）在高温时氧化作用也会显著提高。在化学抛光时，由于这些酸的溶解和氧化作用会同时发生，故多数情况下都是把抛光液加热到较高温度再进行化学抛光。需要提高温度再进行化学抛光的金属有钢铁、镍、铅等，次磷，若温度低于某一定值，就会出现无光的腐蚀表面，故存在一个形成光泽面的临界温度，在临界温度以上的一定温度范围内，抛光。而这个温度范围又因溶液组成而异。如果高于这个温度范围，会形成点蚀、局部污点或斑点，使整个抛光效果降低。此外温度越高，金属表面的溶解损失也越大

这两个概念主要出半导体加工过程中，的半导体基片（衬底片）抛光沿用机械抛光、例如氧化镁、氧化锆抛光等，化学抛光生产商，但是得到的晶片表面损伤是极其严重的。直到60年代末，一种新的抛光技术——化学机械抛光技术（CMP Chemical Mechanical Polishing ）取代了旧的方法。CMP技术综合了化学和机械抛光的优势：单纯的化学抛光，抛光速率较快，表面光洁度高，损伤低，平整性好，但表面平整度和平行度差，佳木斯化学抛光，抛光后表面一致性差；单纯的机械抛光表面一致性好，焦亚***钠，表面平整度高，但表面光洁度差，损伤层深。化学机械抛光可以获得较为平整的表面，又可以得到较高的抛光速率，得到的平整度比其他方法高两个数量级，是能够实现全局平面化的有效方法。

抛光时间。要得到好的抛光效果，就需要花费一定的时间。若抛光时间太短，只能获得没有光泽的梨皮状表面。若时间过长，不仅溶解损失增大，而且加工表面会出现污点或斑点。因此存在着一个适当的时间范围，它受材料、抛光液的组成及抛光温度等因素的影响，通常难以预测，除用实验测定外，没有其他方法。化学抛光中往往产生氢气，这是抛光具有氢脆敏***材料时必须注意的问题。另外，抛光液温度高达100～200℃时，还会产生退火作用。为了把氢脆和退火作用的影响减小到，就必须在适宜的温度范围内选择尽可能短的抛光时间。

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