注意事项1、 抛光时必须坚持“宁可慢，不可快，宁轻，勿重”的原 则，避免抛漆。2、 把电线背起来，以免伤人、伤机、缠线，严禁电线接触。3、 抛光蜡可先倒在漆面上均匀分散，防止漆面飞溅。4、 漆面抛光前建议先用洗车泥擦拭，去除油漆表面附着的表层颗粒和污染物。5、 抛前机盖时，用大毛巾或者是遮蔽膜盖住前挡玻璃，避免抛光蜡沾在玻璃密封条与雨刮器上难以擦除。6、 抛光蜡均匀涂在羊毛盘或海绵盘上，防止飞溅、浪费材料。7、 使用完毕后正确放置机器，两手柄支地，毛轮朝上。

1.化学抛光设备简单，可根据每批所处理的产品数量而设计建成，造价低。

2.化学抛光不需要直流电源和电挂具。

3.特别适合抛光大型的各种材料建材或形状复杂的大型零部件。

amp;nbs自己设计木材切割机p; 4.可以同时抛光很多工件，效率很高。主要用于工件的装饰性加工。

5.溶液寿命短，消耗大，再生困难。

6.抛光过程中会产生酸雾或***气体，不利于工人健康及环境保护。

amp;nb木材切割机械sp; 7.抛光后，工件表面的粗糙度较其他方法得出的大。

铝及铝合金产品因具有特殊的性质，因此应用相当广泛，在五金市场中占有极其重要的地位，铝制品在表面处理中要进行抛光，这不仅使铝制品的外观具有光亮的外表，而且均匀光滑的表面可以分散降低腐蚀介质的吸附，提高抗蚀性能。对于一般要求不很高的产品一般采用化学抛光，这样既能节省劳力又能节省电，但是目前采用的化学抛光液中含有造成对环境的污染，为了化学抛光处理过程对环境造成的污染和对***造成的危害问题，特对传统的化学抛光进行了改良，生产出来了无黄烟化学铝合金抛光光亮剂。

依据机械加工原理、半导体材料工程学、物力化学多相反应多相催化理论、表面工程学、半导体化学基础理论等，对硅单晶片化学机械抛光（CMP）机理、动力学控制过程和影响因素研究标明，化学机械抛光是一个复杂的多相反应，它存在着两个动力学过程：（1）抛光首先使吸附在抛光布上的抛光液中的氧化剂、催化剂等与衬底片表面的硅原子在表面进行氧化还原的动力学过程。这是化学反应的主体。（2）抛光表面反应物脱离硅单晶表面，即解吸过程使未反应的硅单晶重新出来的动力学过程。它是控制抛光速率的另一个重要过程。硅片的化学机械抛光过程是以化学反应为主的机械抛光过程，要获得质量好的抛光片，必须使抛光过程中的化学腐蚀作用与机械磨削作用达到一种平衡。如果化学腐蚀作用大于机械抛光作用，则抛光片表面产生腐蚀坑、桔皮状波纹。如果机械磨削作用大于化学腐蚀作用，则表面产生高损伤层。