电化学抛光原理电化学抛光也称电解抛光。电解抛光是以被抛工件为阳极，不溶性金属为阴极，两极同时浸入到电解槽中，通以直流电而产生有选择性的阳极溶解，从而使工件表面光亮度增大，达到镜面效果。

工艺流程化学(或电化学)除油→热水洗→流动水洗→除锈(10%***)→流动水洗→化学抛光→流动水洗→中和→流动水洗→转入下道表面处理工序工作环境：传统抛光工艺工作环境恶劣，抛光过程中产生沙粒，铁屑，粉尘等，严重污染环境；.加工效率：人工抛光；豪克能工艺属于以车代磨，线速度可达50-80 m/min,进给量可达0.2-0.5mm/r,相当于半精车的效率。铺料消耗：抛光需要消耗抛光轮、磨料、砂带等辅料；适应性：抛光可以加工平面等简单的型面，对于曲面无法加工。如果加工R弧，曲面等复杂型面，可采用豪克能抛光工艺。

抛光三环节研磨、抛光、还原各环节具体含义及质量标准：1、 研磨：通过表面预处理清除漆面上的污物，消除严重氧化、细微划痕及表面缺陷，工艺大多采用水砂纸去除表面瑕疵，一般使用3M 1500-2500皇牌水砂纸。随着人工成本的提高，水磨砂纸研磨效率不高，使用后砂纸痕较重的问题开始凸显，一些主流站开始采用3M 金字塔砂纸，P1500和P3000砂纸，使用干磨机抛光半湿磨的方式进行研磨，无砂纸痕的残留，机械化操作，可极大的提高抛光效率。具体步骤如下：a, 缺陷去除。漆面喷洒少量水，使用P1500金字塔砂纸配合干磨机整体上下左右各一遍，漆面呈亚光状态；打磨后，使用橡胶刮水板刮除表面的白沫，观察漆面，找出突显的缺陷，再在砂碟上喷洒少量水，去除缺陷。b, 漆面过细。使用干磨机配合P3000金字塔砂碟和干磨软垫过细打磨过的漆面，在砂碟和漆面上喷洒一定量的水，以较快的移遮蔽保护动速度，按上下左右顺序各两道打磨整个漆面。打磨后，使用橡胶刮水板刮除表面水和白沫。

CMP技术的概念是1965年由Manto提出。该技术是用于获取高质量的玻璃表面，如望远镜等。1988年IBM开始将CMP技术运用于4MDRAM 的制造中，而自从1991年IBM将CMP成功应用到64MDRAM 的生产中以后，CMP技术在世界各地迅速发展起来。区别于传统的纯机械或纯化学的抛光方法，CMP通过化学的和机械的综合作用，从而避免了由单纯机械抛光造成的表面损伤和由单纯化学抛光易造成的抛光速度慢、表面平整度和抛光一致性差等缺点。它利用了磨损中的“软磨硬”原理，即用较软的材料来进行抛光以实现高质量的表面抛光。