化学抛光是靠化学***的化学浸蚀作用对样品表面凹凸不平区域的选择性溶解作用消除磨痕、浸蚀整平的一种方法。化学抛光设备简单，能够处理细管、带有深孔及形状复杂的零件，生产。化学抛光可作为电镀预处理工序，也可在抛光后辅助以必要的防护措施直接使用。为了进行化学抛光，必须使零件表面的凸部比凹部优先溶解，因此应将化学抛光的作用分为两个阶段来认识。阶段是化学抛光时金属表面现象的几何凸凹的整平，去除较粗糙的表面不平度，获得平均为数微米到数十微米的光洁度；第二阶段是晶界附近的结晶不完整部分的平滑化，去除微小的不平，在0.1～0.01μm，相当于光波长的范围。可将阶段称为宏观抛光或平滑化，把第二阶段称为微观抛光或光泽化。

原理：化学抛光是靠化学***的化学浸蚀作用对样品表面凹凸不平区域的选择性溶解作用消除磨痕、浸蚀整平的一种方法。化学抛光设备简单，能够处理细管、带有深孔及形状复杂的零件，生产。化学抛光可作为电镀预处理工序，也可在抛光后辅助以必要的防护措施直接使用。

化学抛光是一种将金相样品浸入调配的化学抛光液中，借化学药剂的溶解作用而得到的抛光表面的抛光方法。化学抛光是常见的金相样品抛光方法之一，这种方法操作简便，不需任何仪器设备，只需要选择适当的化学抛光液和掌握的抛光规范，就能快速得到较理想的光洁而无变形层的表面。

基本原理：

金属试样表面各组成相的电化学电位不同，形成了许多微电势，在化学溶液中会产生不均匀溶解。在溶解过程中试样面表层会产生一层氧化膜，试样表面凸出部分由于粘膜薄，金属的溶解扩展速度较慢，抛光后的表面光滑，但形成有小的起伏波形，不能达到十分理想的要求。在低和中等放大倍数下利用显微镜观察时，这种小的起伏一般在物镜垂直鉴别能力之内，仍能观察到十分清晰的***

氧化抛光液氧化抛光液是以微米或亚微米级CeO2为磨料的氧化研磨液，该研磨液具有分散性好、粒度细、粒度分布均匀、硬度适中等特点。适用于高精密光学仪器，光学镜头，微晶玻璃基板，晶体表面、集成电路光掩模等方面的精密抛光。氧化铝和碳化硅抛光液是以超细氧化铝和碳化硅微粉为磨料的抛光液，主要成分是微米或亚微米级的磨料。主要用于高精密光学仪器、硬盘基板、磁头、陶瓷、光纤连接器等方面的研磨和抛光。