化学抛光溶液：

化学抛光液的成分随抛光材料的不同而不同。一般为混合酸液。化学抛光溶液由氧化剂和粘滞剂组成。氧化剂起抛光作用，它们是酸类和。常用的酸类有：正磷酸、铬酸、***、醋酸、、等等。粘滞剂用于控制溶液中的扩散和对流速度，使化学抛光过程均匀进行。

化学抛光操作步骤

1：试样准备：试样经精磨光后清洗。

2：配置化学抛光溶液。化学抛光溶液应在烧杯中调配，根据试样材料选择化学抛光液配方，配溶液时应用蒸馏水，***用化学纯***。某些不易溶于水的***需要加热溶液才能溶解。和腐蚀性很强，调配时需注意安全。化学抛光溶液经使用之后，溶液内金属离子增多，抛光作用减弱，如果发现作用缓慢，气泡减少，应更换新药液。

3：试样用竹夹或者木夹夹住浸入抛光液中，一边搅动并适时取出观察至达到抛光要求后取出。

4：化学抛光结束之后，试样应立即清洗、吹干。

铝及铝合金的化学抛光。为获得光亮的表面，必须严格控制抛光液xiao酸的含量。xiao酸含量过低，抛光速度慢且抛光后表面光泽性差;xiao酸含量过高，容易发生鳞状腐蚀。lin酸浓度低时，不能获得光亮的表面，为了防止溶液被稀释，抛光前的零件表面应干燥。醋酸和liu酸可以***点状腐蚀，使抛光表面均匀、细致。liu酸铵和尿素可以减少氧化氮的析出，并有助于改善抛光质量。少量的铜离子可以防止过腐蚀，从而提高抛光表面的均匀性，但含量过高又会降低抛光表面的反光能力。铬酐可以提高铝锌铜合金的抛光质量，含锌、铜丝高的强度铝合金在不含铬酐的抛光液中，难以获得光亮的表面。

半导体行业CMP技术还广泛的应用于集成电路(IC)和超大规模集成电路中(ULSI)对基体材料硅晶片的抛光。随着半导体工业的急速发展，对抛光技术提出了新的要求，传统的抛光技术（如：基于淀积技术的选择淀积、溅射等）虽然也可以提供“光滑”的表面，但却都是局部平面化技术，不能做到全局平面化，而化学机械抛光技术解决了这个问题，它是可以在整个硅圆晶片上平坦化的工艺技术。