抛光三环节研磨、抛光、还原各环节具体含义及质量标准：1、 研磨：通过表面预处理清除漆面上的污物，消除严重氧化、细微划痕及表面缺陷，工艺大多采用水砂纸去除表面瑕疵，一般使用3M 1500-2500皇牌水砂纸。随着人工成本的提高，水磨砂纸研磨效率不高，使用后砂纸痕较重的问题开始凸显，一些主流站开始采用3M 金字塔砂纸，P1500和P3000砂纸，使用干磨机抛光半湿磨的方式进行研磨，无砂纸痕的残留，机械化操作，三酸抛光价格，可极大的提高抛光效率。具体步骤如下：a， 缺陷去除。漆面喷洒少量水，使用P1500金字塔砂纸配合干磨机整体上下左右各一遍，漆面呈亚光状态；打磨后，使用橡胶刮水板刮除表面的白沫，观察漆面，找出突显的缺陷，再在砂碟上喷洒少量水，去除缺陷。b， 漆面过细。使用干磨机配合P3000金字塔砂碟和干磨软垫过细打磨过的漆面，三酸抛光，在砂碟和漆面上喷洒一定量的水，以较快的移遮蔽保护动速度，三酸抛光厂家，按上下左右顺序各两道打磨整个漆面。打磨后，使用橡胶刮水板刮除表面水和白沫。

化学抛光是金属表面通过有规则溶解达到光亮平滑。在化学抛抛光材料，抛光蜡(4张) 光过程中，钢铁零件表面不断形成钝化氧化膜和氧化膜不断溶解，且前者要强于后者。由于零件表面微观的不一致性，表面微观凸起部位优先溶解，且溶解速率大于凹下部位的溶解速率；而且膜的溶解和膜的形成始终同时进行，只是其速率有差异，结果使钢铁零件表面粗糙度得以整平，从而获得平滑光亮的表面。抛光可以填充表面毛孔、划痕以及其它表面缺陷，从而提高疲劳阻力、腐蚀阻力

半导体行业CMP技术还广泛的应用于集成电路(IC)和超大规模集成电路中(ULSI)对基体材料硅晶片的抛光。随着半导体工业的急速发展，对抛光技术提出了新的要求，三酸抛光工艺，传统的抛光技术（如：基于淀积技术的选择淀积、溅射等）虽然也可以提供“光滑”的表面，但却都是局部平面化技术，不能做到全局平面化，而化学机械抛光技术解决了这个问题，它是可以在整个硅圆晶片上平坦化的工艺技术。

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