化学抛光溶液：

化学抛光液的成分随抛光材料的不同而不同。一般为混合酸液。化学抛光溶液由氧化剂和粘滞剂组成。氧化剂起抛光作用，它们是酸类和。常用的酸类有：正磷酸、铬酸、***、醋酸、、等等。粘滞剂用于控制溶液中的扩散和对流速度，使化学抛光过程均匀进行。

化学抛光操作步骤

1：试样准备：试样经精磨光后清洗。

2：配置化学抛光溶液。化学抛光溶液应在烧杯中调配，根据试样材料选择化学抛光液配方，配溶液时应用蒸馏水，***用化学纯***。某些不易溶于水的***需要加热溶液才能溶解。和腐蚀性很强，调配时需注意安全。化学抛光溶液经使用之后，溶液内金属离子增多，抛光作用减弱，如果发现作用缓慢，气泡减少，应更换新药液。

3：试样用竹夹或者木夹夹住浸入抛光液中，一边搅动并适时取出观察至达到抛光要求后取出。

4：化学抛光结束之后，试样应立即清洗、吹干。

是以***为载体,在适宜的温度范围内进行化学抛光,通常情况下、(或),抛光过程即完成化学抛光方法,将欲抛光的不锈钢在此溶液中浸泡,当溶液呈现绿色时、代替相应的酸,先将这些盐类溶于溶有淀粉的水溶液中,然后再将此欲抛光的材料浸入***溶液中,使其表面附着一层溶有上述盐类的淀粉层,用氯化钠化学抛光，一般使用或磷酸等氧化剂溶液，在一定的条件下，使工件表面氧化，此氧化层又能逐渐溶人溶液，表面微凸起处氧化较快而较多,而微凹处则被氧化慢而少。同样凸起处的氧化层又比四处更多、更快地扩散，溶解于酸型溶液中,因此使加工表面逐渐被整平，达到改善工件表面粗糙度或使表面平滑化和光泽化的目的。化学抛光可以大面或多件抛光薄壁、低刚度工件，可以抛光内表面和形状复杂的工件，不需要外加电源、设备，操作简单、成本低。其缺点是化学抛光效果比电解抛光效果差，抛光过程中会产生氮氧化合物等环境污染物，而且抛光液用后处理较麻烦

半导体行业CMP技术还广泛的应用于集成电路(IC)和超大规模集成电路中(ULSI)对基体材料硅晶片的抛光。随着半导体工业的急速发展，对抛光技术提出了新的要求，传统的抛光技术（如：基于淀积技术的选择淀积、溅射等）虽然也可以提供“光滑”的表面，但却都是局部平面化技术，不能做到全局平面化，而化学机械抛光技术解决了这个问题，它是可以在整个硅圆晶片上平坦化的工艺技术。