对于平行流洁净室《习惯上称层流洁净室，由于主要靠气流的“活塞打挤压作用排除行染，所以截面上的速度就是非常重要的指标。过去都参考美国20gB标准，采用0.45m/s．但人们也都了解到这样大速度所需要的通风量是极大的，为了节能，也都在探求降低风速的可行性。在我国，******室净化工程，《空气洁净技术措施》和(洁净厂房设计规范）都是这样规定的垂直平行流（层流）洁净室≥0.25m/s水平平行流（层流）洁净室≥0.35 m/s

4、净化工程在设计时，无论是新建还是重新改造的净化车间，厂房净化工程，都一定依照***相关标准、规范进行。

净化工程技术的兴起不过是上个世纪的事情，但今天净化技术发挥着重要作用则是有目共睹的。随着产品向着高、精、尖方向发展，对净化车间的依赖度也越来越高。而随着净化技术的发展，建设净化车间的技术含量也越来越高，非***人士不能也。除了在生产领域，净化工程技术还会逐渐应用于家庭、公共场合，为人们提供更洁净的生活空间。

洁净室中的温湿度控制洁净空间的温湿度主要是根据工艺要求来确定，但在满足工艺要求的条件下，应考虑到人的舒适度感。随着空气洁净度要求的提高，出现了工艺对温湿度的要求也越来越严的趋势。具体工艺对温度的要求以后还要列举，但作为总的原则看，由于加工精度越来越精细，净化工程，所以对温度波动范围的要求越来越小。例如在大规模集成电路生产的光刻***工艺中，作为掩膜板材料的玻璃与硅片的热膨胀系数的差要求越来越小。直径100 um的硅片，温度上升1度，就引起了0.24um线性膨胀，净化工程设计，所以必须有±0.1度的恒温，同时要求湿度值一般较低，因为人出汗以后，对产品将有污染，特别是怕钠的半导体车间，这种车间温度不宜超过25度，湿度过高产生的问题更多。相对湿度超过55%时，冷却水管壁上会结露，如果发生在精密装置或电路中，就会引起各种事故。相对湿度在50%时易生锈。此外，湿度太高时将通过空气中的水分子把硅片表面粘着的灰尘化学吸附在表面难以清除。相对湿度越高，粘附的越难去掉，但当相对湿度低于30%时，又由于静电力的作用使粒子也容易吸附于表面，同时大量半导体器件容易发生击穿。对于硅片生产合适湿度范围为35—45%。



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