不同于SAW滤波器，BAW滤波器内的声波垂直传播（图3）。对使用石英晶体作为基板的BAW谐振器来说，贴嵌于石英基板顶、底两侧的金属对声波实施激励，使声波从顶部表面反弹至底部，上海封装，以形成驻声波。而板坯厚度和电极质量（mass）决定了共振频率。在BAW滤波器大显身手的高频，其压电层的厚度必须在几微米量级，因此，射频模块封装，要在载体基板上采用薄膜沉积和微机械加工技术实现谐振器结构。

在BAW-***R滤波器底部电极下方使用的声反射器使其在FBAR面临挑战的频段拥有优化的带宽性能。反射器使用的二氧化硅还显著减少了BAW的整体温漂，该指标远好于BAW甚至FBAR所能达到的水平。由于谐振器位于结实的材料块上，其散热比FBAR好得多，后者采用一个膜，仅能通过边缘散热。这使得BAW器件可实现更高的功率密度，不久就会有可用于小蜂窝基i站应用10W级器件的问世。

总结：

未来几年，SAW、TC-SAW和BAW滤波器及双工器的各种选择将成为各类无线设备更重要的组成部分。随着各类发i射器的增加、更高频率内更多无线频段的分配、加之***频谱管理依然各自为政，射频干扰***将变得越来越具有挑战性。

为使SAW小型化发展通常采取三种措施：

1）优化设计器件用芯片，设法使其做得更小；

2）改进器件的封装形式，现在已经由传统的圆形金属壳封装改为方形或长方形扁平金属封装或LCCC（无引线陶瓷芯片载体）表面贴装的形式，射频前端封装，采用体积更小的CSP封装形式，目前封装尺寸已做到1.1mm x 0.9mm；

3）将不同功能的SAW滤波器封装在一起，构成组合型器件以减小占用PCB的面积。

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