以SAW滤波器为例，金球倒装真空覆膜成腔技术具有低成本、高性能、微型化和***率特点，约70%的SAW产品采用金球倒装技术。芯片边缘留给封装的空间只有200μm，UBM直径90μm，芯片厚度150~200μm，整体封装厚度lt;550μm。由于是非气密封装芯片上需镀有一层薄的无机钝化层，以防止铝结构发生腐蚀。SAWFilter声表面波滤波器技术存在于具有一定对称性晶体内的压电效应是声滤波器的“电动机”及“发电机”。

因这两种类型BAW滤波器的声能密度都很高、其结构都能很好地导限声波，它们的损耗都非常低。在微波频率，BAW可实现的Q值、在可比体积下、比任何其它类型的滤波器都高，可达：2500@2GHz。这使得即使在通带边缘的吃紧处，它也有极i好的***和插入损耗性能。此外，即便在高宽带设计中，BAW对温度变化也不那么敏感，同时它还具有极低的损耗和非常陡峭的滤波器裙边（filterskirt）。

虽然BAW和FBAR滤波器的制造成本更高，其性能优势非常适合***挑战性的LTE频带以及PCS频带，后者的发送和接收路径间只有20MHz的狭窄过渡范围。BAW和FBAR滤波器的IDT可做得足够大，以支持4W@2GHz的更高射频功率。BAW器件对静电放电有固有的高阻抗，其BAW-***R变体具有约-17ppm/℃@2GHz的TCF。在BAW-***R滤波器底部电极下方使用的声反射器使其在FBAR面临挑战的频段拥有优化的带宽性能。

在BAW-***R滤波器底部电极下方使用的声反射器使其在FBAR面临挑战的频段拥有优化的带宽性能。反射器使用的二氧化硅还显著减少了BAW的整体温漂，该指标远好于BAW甚至FBAR所能达到的水平。由于谐振器位于结实的材料块上，其散热比FBAR好得多，后者采用一个膜，仅能通过边缘散热。这使得BAW器件可实现更高的功率密度，不久就会有可用于小蜂窝基i站应用10W级器件的问世。声表面滤波器是利用压电陶瓷、铌酸锂、石英等压电晶体振荡器材料的压电效应和声表面波传播的物理特性制成的一种换能式无源带通滤波器，它常用于电视机和录像机中频放大器的输入吸收回路和多级调谐回路。

总结：

未来几年，SAW、TC-SAW和BAW滤波器及双工器的各种选择将成为各类无线设备更重要的组成部分。随着各类发i射器的增加、更高频率内更多无线频段的分配、加之***频谱管理依然各自为政，射频干扰***将变得越来越具有挑战性。