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影响因素
1 ．频率
射频 PECVD 系统大都采用 50kHz~13.56 MHz 的工业频段射频电源。较高频率（ gt;4MHz ）沉积的氮化硅薄膜具有更好的钝化效果和稳定性。
2 ．射频功率
增加 RF 功率通常会改善 SiN 膜的质量。但是，功率密度不宜过大，超过 1W/cm2 时器件会造成严重的射频损伤。
3 ．衬底温度
PECVD 膜的沉积温度一般为 250 ～ 400 ℃ 。这样能保证氮化硅薄膜在HF 中有足够低的腐蚀速率，并有较低的本征压力，从而有良好的热稳定性和抗裂能力。低于 200 ℃ 下沉积的氮化硅膜，本征应力很大且为张应力，而温度高于 450 ℃ 时膜容易龟裂。
4 ．气体流量
影响氮化硅膜沉积速率的主要气体是 SiH4 。为了防止富硅膜，选择NH3/SiH4=2~20 （体积比）。气体总流量直接影响沉积的均匀性。为了防止反应区下游反应气体因耗尽而降低沉积速率，通常采用较大的气体总流量，以保证沉积的均匀性。
5 ．反应气体浓度
SiH4 的百分比浓度及 SiH4/NH3 流量比，对沉积速率、氮化硅膜的组分及***性质均有重大影响。
理想 Si3N4 的 Si/N ＝ 0.75 ，而 PECVD 沉积的氮化硅的化学计量比会随工艺不同而变化，但多为富硅膜，可写成 SiN 。因此，必须控制气体中的 SiH4 浓度，不宜过高，并采用较高的 SiN 比。除了 Si 和 N 外， PECVD 的氮化硅一般还包含一定比例的氢原子，即 SixNyHZ 或 SiNx :H 。
6 ．反应压力、和反应室尺寸 等都是影响氮化硅薄膜的性能工艺参数。
振鑫焱光伏科技有限责任公司长期购置：天价回收硅片，电池片，初中级光伏电池，银浆布，单晶硅，光伏电池，太阳能电池板，太阳能组件，太阳能光伏板，顾客撤离，退级，库存量，El，欠佳检测，二手，旧工程项目，拆装，道路路灯，拆卸发电厂，拆装，人造板，聚酰薄膜，***限结晶硅，光伏电池，单晶硅，试验板，负债还款，返修，太阳能发电控制模块收购等。4.3浆料浆料是由作用组份、粘接组份和有机化学质粒载体构成的一种流体力学，浆料有导体浆料、电阻器浆料、物质浆料和包管浆料等。在背银，背铝及正银工艺流程中常用浆料为导体浆料。在导体浆料中，作用组份一般为贵***或贵***的化合物。质粒载体是高聚物在有机化学***中的水溶液。作用组份决策了破乳后的电气性能物理性能。质粒载体决策了厚膜的加工工艺特性，是印刷膜和干躁膜的临时性粘接剂。作用组份和粘接组份一般为粉状，在质粒载体中开展充足拌和和分散化后产生膏状的厚膜浆料。煅烧后的厚膜导体是由金属材料与粘接组份构成。浆料的技术性性能参数就是指浆料中作用成份（背银浆料中的银铝成份、正银浆料中的银成份，背浆料中的铝成份）历经风干和煅烧后与电池片的欧母特性，其危害电池片的电性能参数如开路电压，短路容量，并联电阻，串连电阻器，转化率等性能指标；浆料的加工工艺特性是做到所述指标值的确保，各浆料制造生产商对于3种印刷工艺流程有强烈推荐的加工工艺主要参数如浆料的粒度分布、粘度，固态物含量，金属丝网的筛网目数；前边提及网格图的孔长为浆料粉体设备粒度的2.5～5倍；浆料的黏度危害***条的印刷速率；固态物含量决策印刷后的湿薄厚经风干和煅烧后的后薄厚。背铝及正银三工艺流程的浆料不一样，从而决策她们在金属丝网和印刷主要参数各不相同，表2为英国FERRO企业的常有有关工艺流程的印刷浆料的特性。 
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二、 翘曲：
1、 硅片太薄：控制原始硅片厚度；
2、 印刷铝浆太厚：控制铝浆增重量；
3、 烧结温度过高：调整烧结炉4、5、6、7区温度；
4、 烧结炉冷却区冷却效果不好：查看风扇状况、进出水温度压力等
三、 铝包：
1、 烧结温度太高：调整烧结炉4、5、6、7区温度；
2、 印刷铝浆太薄：增大铝浆的印刷量；
3、 使用前浆料搅拌不充分：搅拌时间必须达到规定时间；
4、 铝浆印刷后烘干时间不够：增加烘干时间或提高烘干温度；
5、 烧结排风太小：增大烧结炉排风；
6、 烧结炉冷却区冷却区冷却效果不好：查看风扇状况、进出水温度压力等；
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