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单晶硅片

当今开发设计得更快的这种太阳电池，它的组成和生产工艺流程已定形，商品已普遍用以宇宙空间和路面设备。这类太阳电池以高纯度的单晶硅棒为原材料，纯净度规定99.999%。以便降低成本成本费，如今路面运用的太阳电池等选用太阳能发电级的单晶硅棒，原材料性能参数有一定的放开。有的也可应用集成电路工艺生产加工的头尾料和废次单晶硅原材料，历经复拉做成太阳电池专用型的单晶硅棒。将单晶硅棒切一片，通常片厚约0.3mm。硅片历经成型、研磨抛光、清理等工艺流程，做成待生产加工的原材料硅片。生产加工太阳电池片，先要在硅片上夹杂和外扩散，通常夹杂物为微量分析的硼、磷、锑等。外扩散是在石英管做成的高溫扩散炉中开展。那样就在硅片上产生P/FONTgt;N 结。然后采用丝网印刷法，将配好的银浆印在硅片上做成栅线，经过烧结，同时制成背电极，并在有栅线的面涂覆减反射源，以防大量的光子被光滑的硅片表面反射掉，至此，单晶硅太阳电池的单体片就制成了。单体片经过抽查检验，即可按所需要的规格组装成太阳电池组件（太阳电池板），用串联和并联的方法构成一定的输出电压和电流，后用框架和封装材料进行封装。用户根据系统设计，可将太阳电池组件组成各种大小不同的太阳电池方阵，亦称太阳电池阵列。目前单晶硅太阳电池的光电转换效率为 15% 左右，实验室成果也有 20% 以上的。用于宇宙空间站的还有高达 50% 以上的太阳能电池板。

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刻蚀工艺

刻蚀目的

将硅片边缘的带有的磷去除干净，避免 PN 结短路造成并联电阻降低。

刻蚀原理

采用干法刻蚀。采用高频辉光放电反应， 采用高频辉光放电反应，使反应气体***成活性粒子，如原子或各种游离基，这些活性粒子扩散到硅片边缘，在那里与硅进行反应，形成挥发性生成物四***而被去除。

化学公式： CF 4 SIO 2 =SIF 4 CO 2

工艺流程

预抽，主抽，送气，辉光，抽空，清洗，预抽，主抽 ，充气。

影响因素

1. 射频功率

射频功率过高：等离子体中离子的能量较高会对硅片边缘造成较大的轰击损伤，导致边缘区域的电性能差从而使电池的性能下降。在结区（耗尽层）造成的损伤会使得结区复合增加。

射频功率太低：会使等离子体不稳定和分布不均匀，从而使某些区域刻蚀过度而某些区域刻蚀不足，导致并联电阻下降。

2. 时间

刻蚀时间过长：刻蚀时间越长对电池片的正反面造成损伤影响越大，时间长到一定程度损伤不可避免会延伸到正面结区，从而导致损伤区域高复合。

刻蚀时间过短：刻蚀不充分，没有把边缘鳞去干净， PN 结依然有可能短路造成并联电阻降低。

4. 压力

压力越大，气体含量越少，参与反应的气体也越多，刻蚀也越充份。

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中国锂电池回收有关现行政策

在我国驱动力锂电池回收上坡过晚，锂电池回收现行政策和规范尚不足健全，一部分处在征询建议环节。

2012年7月，国务下发《环保节能与新能源车发展趋势产业发展》中明确提出：①奋力到2015年EV PHEV总计销售量达50万亿元，到2020年总计产供销超500万亿元；②提升动力锂电池梯阶运用和收购管理方法。2014年7月《有关加速新能源车应用推广的实施意见》中强调：制订锂电池回收现行政策、完善锂电池回收管理体系。2015年5月《中国制造业2025》上将“绿色发展理念”做为发展战略指导方针，发展规划中提及：工业生产废弃物回收使用率至2015年规定超过65%，2020年73%，2025年则为79%。

2016年1月《纯电动车动力电池综合利用技术性现行政策》中明确充电电池生产制造实施编号制、创建可回朔管理体系；确立选用经营者义务拓宽规章制度，充电电池制造商担负锂电池回收的关键义务。2016年12月《新能源车动力电池综合利用管理方法暂行规定（征求意见）》中谈及：为有利于充电电池的再次收购，在充电电池设计阶段要遵照易拆装标准，加工过程中务必喷码标识；除此之外管理条例中还涉及充电电池的市场销售、运用、存储及运送中与废旧电池回收的多种多样要求，是现阶段比较详尽的一整套提议。

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