振鑫焱光伏科技有限公司常年采购：高价回收硅片，电池片，初级多晶硅，银浆布，单晶硅，多晶硅，太阳能电池，光伏组件，太阳能电池板，客户撤退，降级，库存，El，不良测试，二手，旧工程，拆卸，路灯，拆解电站，拆卸，胶合板，层压板，无边界晶体硅，多晶硅，单晶硅，实验板，***偿还，返工，光伏模块回收等。

二、 翘曲：

1、 硅片太薄：控制原始硅片厚度；

2、 印刷铝浆太厚：控制铝浆增重量；

3、 烧结温度过高：调整烧结炉4、5、6、7区温度；

4、 烧结炉冷却区冷却效果不好：查看风扇状况、进出水温度压力等

三、 铝包：

1、 烧结温度太高：调整烧结炉4、5、6、7区温度；

2、 印刷铝浆太薄：增大铝浆的印刷量；

3、 使用前浆料搅拌不充分：搅拌时间必须达到规定时间；

4、 铝浆印刷后烘干时间不够：增加烘干时间或提高烘干温度；

5、 烧结排风太小：增大烧结炉排风；

6、 烧结炉冷却区冷却区冷却效果不好：查看风扇状况、进出水温度压力等；

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1. 通过测试数据监控生产电池片的效率及暗电流等参数是否正常。

2. 对生产的电池片进行分档，将相同电性能的电池片分在一起以便做成组件。

标准测试条件

1. 光源辐照度： 1000W/m2 。

2. 测试温度： 25℃ 。

3.AM1.5地面太阳光谱辐照度分布。

测试参数

1. 开路电压

在一定的温度和辐照度条件下，太阳电池在空载情况下的端电压，用 V oc 表示， PN 结开路，即 I=0 ，此时 PN 结两端的电压即为开路电压。将I=0 代入伏安特性方程得：

KTln(I L /I S 1)/q 。太阳电池的开路电压与电池面积大小无关。太阳电池的开路电压与入射光谱辐照度的对数成正比。

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影响因素

1 ．频率

射频 PECVD 系统大都采用 50kHz~13.56 MHz 的工业频段射频电源。较高频率（ gt;4MHz ）沉积的氮化硅薄膜具有更好的钝化效果和稳定性。

2 ．射频功率

增加 RF 功率通常会改善 SiN 膜的质量。但是，功率密度不宜过大，超过 1W/cm2 时器件会造成严重的射频损伤。

3 ．衬底温度

PECVD 膜的沉积温度一般为 250 ～ 400 ℃ 。这样能保证氮化硅薄膜在HF 中有足够低的腐蚀速率，并有较低的本征压力，从而有良好的热稳定性和抗裂能力。低于 200 ℃ 下沉积的氮化硅膜，本征应力很大且为张应力，而温度高于 450 ℃ 时膜容易龟裂。

4 ．气体流量

影响氮化硅膜沉积速率的主要气体是 SiH4 。为了防止富硅膜，选择NH3/SiH4=2~20 （体积比）。气体总流量直接影响沉积的均匀性。为了防止反应区下游反应气体因耗尽而降低沉积速率，通常采用较大的气体总流量，以保证沉积的均匀性。

5 ．反应气体浓度

SiH4 的百分比浓度及 SiH4/NH3 流量比，对沉积速率、氮化硅膜的组分及***性质均有重大影响。

理想 Si3N4 的 Si/N ＝ 0.75 ，而 PECVD 沉积的氮化硅的化学计量比会随工艺不同而变化，但多为富硅膜，可写成 SiN 。因此，必须控制气体中的 SiH4 浓度，不宜过高，并采用较高的 SiN 比。除了 Si 和 N 外， PECVD 的氮化硅一般还包含一定比例的氢原子，即 SixNyHZ 或 SiNx :H 。

6 ．反应压力、和反应室尺寸 等都是影响氮化硅薄膜的性能工艺参数。

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