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1. 通过测试数据监控生产电池片的效率及暗电流等参数是否正常。

2. 对生产的电池片进行分档，将相同电性能的电池片分在一起以便做成组件。

标准测试条件

1. 光源辐照度： 1000W/m2 。

2. 测试温度： 25℃ 。

3.AM1.5地面太阳光谱辐照度分布。

测试参数

1. 开路电压

在一定的温度和辐照度条件下，太阳电池在空载情况下的端电压，用 V oc 表示， PN 结开路，即 I=0 ，此时 PN 结两端的电压即为开路电压。将I=0 代入伏安特性方程得：

KTln(I L /I S 1)/q 。太阳电池的开路电压与电池面积大小无关。太阳电池的开路电压与入射光谱辐照度的对数成正比。

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影响因素

1 ．频率

射频 PECVD 系统大都采用 50kHz~13.56 MHz 的工业频段射频电源。较高频率（ gt;4MHz ）沉积的氮化硅薄膜具有更好的钝化效果和稳定性。

2 ．射频功率

增加 RF 功率通常会改善 SiN 膜的质量。但是，功率密度不宜过大，超过 1W/cm2 时器件会造成严重的射频损伤。

3 ．衬底温度

PECVD 膜的沉积温度一般为 250 ～ 400 ℃ 。这样能保证氮化硅薄膜在HF 中有足够低的腐蚀速率，并有较低的本征压力，从而有良好的热稳定性和抗裂能力。低于 200 ℃ 下沉积的氮化硅膜，本征应力很大且为张应力，而温度高于 450 ℃ 时膜容易龟裂。

4 ．气体流量

影响氮化硅膜沉积速率的主要气体是 SiH4 。为了防止富硅膜，选择NH3/SiH4=2~20 （体积比）。气体总流量直接影响沉积的均匀性。为了防止反应区下游反应气体因耗尽而降低沉积速率，通常采用较大的气体总流量，以保证沉积的均匀性。

5 ．反应气体浓度

SiH4 的百分比浓度及 SiH4/NH3 流量比，对沉积速率、氮化硅膜的组分及***性质均有重大影响。

理想 Si3N4 的 Si/N ＝ 0.75 ，而 PECVD 沉积的氮化硅的化学计量比会随工艺不同而变化，但多为富硅膜，可写成 SiN 。因此，必须控制气体中的 SiH4 浓度，不宜过高，并采用较高的 SiN 比。除了 Si 和 N 外， PECVD 的氮化硅一般还包含一定比例的氢原子，回收发电板价格，即 SixNyHZ 或 SiNx :H 。

6 ．反应压力、和反应室尺寸 等都是影响氮化硅薄膜的性能工艺参数。

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5 、 检测方法

5.1 设计和结构

5.1.1 基体材料

电池的基体材料应按相关详细规范的要求及检测方法进行检测。

5.1.2 电极

5.1.2.1 电池电极的完整性、电极图形位移的检验应使用分辨力优于 0.01mm 的标准尺测量。

5.1.2.2 在照度不小于 800Lux 的白色光源下，目测电极是否变色。

5.1.2.3 电池电极的导电性按 GB/T17473.3 进行。

5.1.2.4 电池电极的可焊性按 GB/T17473.7 进行。

5.1.3 背面铝膜

5.1.3.1 背面铝膜与基体材料的匹配性检测

通过检测电池的弯曲变形，验证背面铝膜材料的热膨胀系数与基体材料的匹配性。适用表面平整度优于 0.01mm 平台，电池背面朝下水平放置，用分辨力优于 0.01mm 的量具进行检验。

5.1.3.2 背面铝膜与基体材料的附着强度测验

如图 2 所示放置样品，在满足 EVA 充分交联的条件下压层，取出后立即撕下四氟布，待冷却到室温后，用刀割断 EVA 和铝膜，撕去 EVA 条，观察有无铝膜脱落。

5.1.3.3 背面铝膜外观检验

背面铝膜的凸起高度应使用分辨力优于 0.01mm 的带标尺的光学显微镜测量，图形缺陷采用目测。图形位移采用分辨力优于 0.02mm 的卡尺测量。

5.1.3.4 背面铝膜的导电性检测背面铝膜的导电性按GB/T17473.3 进行。

5.1.4 减反射膜附着强度检测

减反射膜附着强度的测试采用胶带试验测定粘合性的方法，胶带附着强度不小于 44N/mm 。具体按 ASTM3359 进行，减反射膜不脱落。

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