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电池片各工艺流程危害要素及异常现象
一回清理危害要素
1.溫度
溫度过高，先就是说IPA不太好操纵，溫度一高，IPA的蒸发迅速，汽泡印就会随着出現，那样就大大减少了PN结的合理总面积，反映加重，还会出現影片的飘浮，导致残片率的提升。可控性水平：调整设备的设定，能够非常好的调整溫度。
2.時间金字塔式随時间的转变：金字塔式慢慢冒出；表层上基础被小金字塔式遮盖，少数刚开始成才；金字塔式满布的绒面早已产生，仅仅尺寸不匀称，透射率也降至较为低的状况；金字塔式向外扩大企业兼并，容积慢慢澎涨，规格趋向平等，透射率略微降低。可控性水平：调整机器设备主要参数，抵债单晶硅回收，能够精准的调整時间。
3.IPA1.帮助氡气的释放出来。2.变弱NaOH水溶液对硅片的浸蚀幅度，调整各向系数。纯NaOH水溶液在高溫下对分子排序较为稀少的100晶面和较为高密度的111晶面毁坏较为大，每个晶面被浸蚀而消溶，IPA显著变弱NaOH的浸蚀抗压强度，提升了浸蚀的各向异性，有益于金字塔式的成型。酒精含水量过高，碱水溶液对硅水溶液浸蚀工作能力越来越太弱，各向异性系数又趋向3。可控性水平：依据初次配液的含水量，及每一次大概耗费的量，来填补足量的液體，线性度不高。
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报废片：
超过缺点片的规定常出現的印刷图型出现异常的缘故表明
1、电级掉下来（叠片）：硅片与料浆没产生充足的铝合金层换句话说沒有产生好的触碰。
2、断开：有物品粘在钢网上，导致堵网。解决方案：擦洗钢网，擦洗堵网地区。
3、跑模：钢网有系统漏洞解决方案：较小且没有细栅线上线下用封网浆将小圆孔封死就能。很大时务必要拆换钢网。另留意跑模干万不可以漏在反面电级，那样会使RSH（并联电阻）过低。
4、粗点：钢网损伤，刮条不整平解决方案：换钢网，换刮条。
5、虚印：有时候会因为原料缘故造成如：据痕、薄厚不匀。其次跟刮条和钢网也是关联。解决方案：换钢网或换刮条。
振鑫焱光伏科技有限公司常年采购：高价回收硅片，电池片，初级多晶硅，银浆布，单晶硅，多晶硅，太阳能电池，光伏组件，太阳能电池板，客户撤退，降级，库存，El，不良测试，二手，旧，工程，拆卸，路灯，实验板单晶硅回收，拆解电站，拆卸，胶合板，层压板，无边界晶体硅，多晶硅，单晶硅，实验板，***偿还，返工，光伏模块回收等。
影响因素
1 ．频率
射频 PECVD 系统大都采用 50kHz~13.56 MHz 的工业频段射频电源。较高频率（ gt;4MHz ）沉积的氮化硅薄膜具有更好的钝化效果和稳定性。
2 ．射频功率
增加 RF 功率通常会改善 SiN 膜的质量。但是，功率密度不宜过大，单晶硅，超过 1W/cm2 时器件会造成严重的射频损伤。
3 ．衬底温度
PECVD 膜的沉积温度一般为 250 ～ 400 ℃ 。这样能保证氮化硅薄膜在HF 中有足够低的腐蚀速率，并有较低的本征压力，从而有良好的热稳定性和抗裂能力。低于 200 ℃ 下沉积的氮化硅膜，本征应力很大且为张应力，而温度高于 450 ℃ 时膜容易龟裂。
4 ．气体流量
影响氮化硅膜沉积速率的主要气体是 SiH4 。为了防止富硅膜，选择NH3/SiH4=2~20 （体积比）。气体总流量直接影响沉积的均匀性。为了防止反应区下游反应气体因耗尽而降低沉积速率，通常采用较大的气体总流量，以保证沉积的均匀性。
5 ．反应气体浓度
SiH4 的百分比浓度及 SiH4/NH3 流量比，对沉积速率、氮化硅膜的组分及***性质均有重大影响。
理想 Si3N4 的 Si/N ＝ 0.75 ，而 PECVD 沉积的氮化硅的化学计量比会随工艺不同而变化，但多为富硅膜，可写成 SiN 。因此，必须控制气体中的 SiH4 浓度，不宜过高，并采用较高的 SiN 比。除了 Si 和 N 外， PECVD 的氮化硅一般还包含一定比例的氢原子，即 SixNyHZ 或 SiNx :H 。
6 ．反应压力、和反应室尺寸 等都是影响氮化硅薄膜的性能工艺参数。
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