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电池片的检测
一、检测的标准
1．高于800LX的直射下，武汉发电板，间距电池片30-50cm的间距，看着方位垂直平分电池片表层观查。
二、检测的方式 1、取放电池片时要轻拿小心轻放，125的电池片维持在1-2的检验速率，150及156的电池片要一整片一整片的开展查验。
三、检验新项目1．色调偏色2．绒面色素斑3．亮斑4．裂痕、裂缝及破孔5．弯折的6．崩边、豁口、掉角7．印刷偏位8．TTV9．铝珠、铝苞10．包装印刷图型11．跑模12．尺寸
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晶体硅电池片
7 ） 细栅线印刷：用橡皮在同一位置来回擦 1 0 次，栅线不脱落则认为合格。
8 ） 减反射膜 与基体材料的附着强度的测试采用胶带试验测定粘合性的方法，胶带附着强度不小于 44N/mm ，减反射膜不脱落。
9 ） 热循环试验 ： 经 -40 ℃ ～ 85 ℃ 温度循环 5 次后，电池的外观性能符合要求，电池的转换效率衰减不超过 3% ， 电极应无变色现象 ；
10 ） 电极的附着强度和电极 / 焊点的抗拉强度试验采用同一方法，如下图所示。将一根长 150mm ，宽 1.7mm 的焊锡条引线焊接在电池电极上，焊接长度为 10mm ，焊接质量以不虚焊为准，在与焊接面成 45 °角对引线施加拉力，逐渐加大拉力，在拉力不低于 2.49N 的情况下持续 10s 以上。
5. 注意事项：
1) 开封时，不能用刀片从直接碰到电池片的地方划，应选择从硬隔板处下刀。
2) 不能用裸手接触电池片（手上有汗液，会*** PN 结，而汗液中含有 N*** ，会和表面的减反射膜产生反应，导致短路漏电，并降低电池片和EVA 的粘接强度）
3) 要轻拿轻放
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影响因素
1 ．频率
射频 PECVD 系统大都采用 50kHz~13.56 MHz 的工业频段射频电源。较高频率（ gt;4MHz ）沉积的氮化硅薄膜具有更好的钝化效果和稳定性。
2 ．射频功率
增加 RF 功率通常会改善 SiN 膜的质量。但是，功率密度不宜过大，超过 1W/cm2 时器件会造成严重的射频损伤。
3 ．衬底温度
PECVD 膜的沉积温度一般为 250 ～ 400 ℃ 。这样能保证氮化硅薄膜在HF 中有足够低的腐蚀速率，并有较低的本征压力，从而有良好的热稳定性和抗裂能力。低于 200 ℃ 下沉积的氮化硅膜，本征应力很大且为张应力，而温度高于 450 ℃ 时膜容易龟裂。
4 ．气体流量
影响氮化硅膜沉积速率的主要气体是 SiH4 。为了防止富硅膜，选择NH3/SiH4=2~20 （体积比）。气体总流量直接影响沉积的均匀性。为了防止反应区下游反应气体因耗尽而降低沉积速率，通常采用较大的气体总流量，以保证沉积的均匀性。
5 ．反应气体浓度
SiH4 的百分比浓度及 SiH4/NH3 流量比，对沉积速率、氮化硅膜的组分及***性质均有重大影响。
理想 Si3N4 的 Si/N ＝ 0.75 ，而 PECVD 沉积的氮化硅的化学计量比会随工艺不同而变化，但多为富硅膜，可写成 SiN 。因此，必须控制气体中的 SiH4 浓度，不宜过高，并采用较高的 SiN 比。除了 Si 和 N 外， PECVD 的氮化硅一般还包含一定比例的氢原子，即 SixNyHZ 或 SiNx :H 。
6 ．反应压力、和反应室尺寸 等都是影响氮化硅薄膜的性能工艺参数。
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